[发明专利]一种氮化硅薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201710966563.X | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107749394B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 傅剑宇;尚海平;刘瑞文;李志刚;王玮冰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氮化硅薄膜制备方法，其特征在于，包括：
步骤一、提供衬底，并在所述衬底上生长满足预设N/Si含量比的氮化硅；
步骤二、对所述满足预设N/Si含量比的氮化硅进行高温退火；
步骤三、在所述高温退火处理后的氮化硅中体注入低原子数杂质，进行低原子数杂质体注入后的氮化硅应力范围在-200MPa到200MPa之间；
步骤四、对所述体注入低原子数杂质后的氮化硅进行低温退火。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中满足预设N/Si含量比的氮化硅为具有化学当量比的氮化硅或富氮型氮化硅，即：SiNx，其中x≥1.33。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一使用PECVD或LPCVD生长所述满足预设N/Si含量比的氮化硅。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二中高温退火的退火温度不低于650℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二中使用30分钟及以上炉管退火或1分钟及以上快速热退火方式进行所述高温退火。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中体注入的所述低原子数杂质的注入能量不低于15KeV。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中体注入的所述低原子数杂质的注入剂量范围在1×1013cm-2到1×1017cm-2之间。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中体注入的所述低原子数杂质为硼、碳或氮。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四中所述低温退火的退火温度不高于650℃。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤四使用30分钟及以上合金退火、30分钟及以上炉管退火或1分钟及以上快速热退火进行所述低温退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
