[发明专利]一种衬底露头抛光方法及其应用有效
| 申请号： | 201710967283.0 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107680906B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张世崇;李婷 | 申请（专利权）人： | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李丙林 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 露头 抛光 方法 及其 应用 | ||
1.一种衬底露头抛光方法，其特征在于，在伸出导线的衬底表面上涂覆聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层，之后在聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层上涂覆紫外光刻胶阻挡层，之后进行抛光；
最靠近衬底表面的阻挡层能够覆盖露出衬底的最短导线；
最远离衬底表面的阻挡层能够覆盖露出衬底的最长导线；
所述阻挡层包括聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层和紫外光刻胶阻挡层。
2.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述露出导线的衬底表面上导线伸出8μm以上。
3.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述露出导线的衬底表面上导线伸出10μm以上。
4.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，减薄衬底至导线距穿过衬底露出还差1-3μm，之后刻蚀得到露出导线的衬底表面。
5.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，减薄衬底至导线距穿过衬底露出还差2μm，之后刻蚀得到露出导线的衬底表面。
6.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述抛光包括化学机械抛光，抛光至最外层阻挡层完全消失。
7.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层的涂覆厚度为8-9μm。
8.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层的涂覆厚度为8μm。
9.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述紫外光刻胶阻挡层的涂覆厚度为4-5μm。
10.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述紫外光刻胶阻挡层的涂覆厚度为5μm。
11.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层的涂覆采用喷胶方式进行，所述喷胶时所采用的聚甲基丙烯酸甲酯与稀释剂的体积比为1：15-25。
12.根据权利要求11所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯阻挡层的涂覆采用喷胶方式进行，所述喷胶时所采用的聚甲基丙烯酸甲酯与稀释剂的体积比为1：20。
13.根据权利要求11所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述喷胶流量为1-1.4mL/min。
14.根据权利要求11所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述喷胶流量为1.2mL/min。
15.根据权利要求11所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述喷胶过程中加热盘的温度为45-55℃。
16.根据权利要求11所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述喷胶过程中加热盘的温度为50℃。
17.根据权利要求1所述的一种衬底露头抛光方法，其特征在于，所述紫外光刻胶阻挡层的涂覆采用旋涂方式进行。
18.如权利要求1-17任一所述的一种衬底露头抛光方法的应用，其特征在于，用于具有TSV结构的衬底的露头抛光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
