[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制作方法在审
申请号: | 201710967310.4 | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN107768529A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 张育楠 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂,闻盼盼 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,包括:
提供背板(80),所述背板(80)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的像素界定层(20)、设于所述像素界定层(20)上的数个开口(21)、以及设于所述衬底基板(10)上且分别位于数个开口(21)内的数个阳极(30);
分别在所述数个开口(21)内的数个阳极(30)上形成数个空穴传输层(40);
分别在所述数个开口(21)内的数个空穴传输层(40)上形成数个钙钛矿发光层(50),所述钙钛矿发光层(50)包括钙钛矿材料及掺杂在钙钛矿材料中的聚合物材料;
分别在所述数个开口(21)内的数个钙钛矿发光层(50)上形成数个电子传输层(60);
分别在所述数个开口(21)内的数个电子传输层(60)上形成数个阴极(70)。
2.如权利要求1所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中,所述聚合物材料的质量百分比为10%~90%;所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为量子点颗粒。
3.如权利要求1所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述钙钛矿材料包括有机金属卤化物钙钛矿材料与无机钙钛矿材料中的一种或多种;所述有机金属卤化物钙钛矿材料包括CH3NH3PbBr3与CH3NH3PbI3中的一种或多种;所述无机钙钛矿材料包括CsPbBr3;所述聚合物材料包括聚酰亚胺与聚氧化乙烯中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为CH3NH3PbBr3,所述钙钛矿发光层(50)中的聚合物材料为聚酰亚胺。
5.如权利要求1所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述数个钙钛矿发光层(50)包括数个红色钙钛矿发光层(51)、数个绿色钙钛矿发光层(52)、及数个蓝色钙钛矿发光层(53),所述红色钙钛矿发光层(51)的发光波长为630nm-690nm,所述绿色钙钛矿发光层(52)的发光波长为500nm-560nm,所述蓝色钙钛矿发光层(53)的发光波长为420nm-480nm。
6.一种钙钛矿发光二极管,其特征在于,包括:衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的像素界定层(20)、设于所述像素界定层(20)上的数个开口(21)、设于所述衬底基板(10)上且分别位于数个开口(21)内的数个阳极(30)、分别设于所述数个开口(21)内且位于所述数个阳极(30)上的数个空穴传输层(40)、分别设于所述数个开口(21)内且位于所述数个空穴传输层(40)上的数个发光层(50)、分别设于所述数个开口(21)内且位于所述数个发光层(50)上的数个电子传输层(60)、以及分别设于所述数个电子传输层(60)上的数个阴极(70);
其中,所述钙钛矿发光层(50)包括钙钛矿材料及掺杂在钙钛矿材料中的聚合物材料。
7.如权利要求6所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中,所述聚合物材料的质量百分比为10%~90%;所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为量子点颗粒。
8.如权利要求6所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿材料包括有机金属卤化物钙钛矿材料与无机钙钛矿材料中的一种或多种;所述有机金属卤化物钙钛矿材料包括CH3NH3PbBr3与CH3NH3PbI3中的一种或多种;所述无机钙钛矿材料包括CsPbBr3;所述聚合物材料包括聚酰亚胺与聚氧化乙烯中的一种或多种。
9.如权利要求8所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为CH3NH3PbBr3,所述钙钛矿发光层(50)中的聚合物材料为聚酰亚胺。
10.如权利要求6所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述数个钙钛矿发光层(50)包括数个红色钙钛矿发光层(51)、数个绿色钙钛矿发光层(52)、及数个蓝色钙钛矿发光层(53),所述红色钙钛矿发光层(51)的发光波长为630nm-690nm,所述绿色钙钛矿发光层(52)的发光波长为500nm-560nm,所述蓝色钙钛矿发光层(53)的发光波长为420nm-480nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710967310.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高效稳定的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 下一篇:柔性基板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择