[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710967310.4 申请日: 2017-10-17
公开(公告)号: CN107768529A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 张育楠 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂,闻盼盼
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 发光二极管 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,包括:

提供背板(80),所述背板(80)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的像素界定层(20)、设于所述像素界定层(20)上的数个开口(21)、以及设于所述衬底基板(10)上且分别位于数个开口(21)内的数个阳极(30);

分别在所述数个开口(21)内的数个阳极(30)上形成数个空穴传输层(40);

分别在所述数个开口(21)内的数个空穴传输层(40)上形成数个钙钛矿发光层(50),所述钙钛矿发光层(50)包括钙钛矿材料及掺杂在钙钛矿材料中的聚合物材料;

分别在所述数个开口(21)内的数个钙钛矿发光层(50)上形成数个电子传输层(60);

分别在所述数个开口(21)内的数个电子传输层(60)上形成数个阴极(70)。

2.如权利要求1所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中,所述聚合物材料的质量百分比为10%~90%;所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为量子点颗粒。

3.如权利要求1所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述钙钛矿材料包括有机金属卤化物钙钛矿材料与无机钙钛矿材料中的一种或多种;所述有机金属卤化物钙钛矿材料包括CH3NH3PbBr3与CH3NH3PbI3中的一种或多种;所述无机钙钛矿材料包括CsPbBr3;所述聚合物材料包括聚酰亚胺与聚氧化乙烯中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为CH3NH3PbBr3,所述钙钛矿发光层(50)中的聚合物材料为聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述的钙钛矿发光二极管的制作方法,其特征在于,所述数个钙钛矿发光层(50)包括数个红色钙钛矿发光层(51)、数个绿色钙钛矿发光层(52)、及数个蓝色钙钛矿发光层(53),所述红色钙钛矿发光层(51)的发光波长为630nm-690nm,所述绿色钙钛矿发光层(52)的发光波长为500nm-560nm,所述蓝色钙钛矿发光层(53)的发光波长为420nm-480nm。

6.一种钙钛矿发光二极管,其特征在于,包括:衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的像素界定层(20)、设于所述像素界定层(20)上的数个开口(21)、设于所述衬底基板(10)上且分别位于数个开口(21)内的数个阳极(30)、分别设于所述数个开口(21)内且位于所述数个阳极(30)上的数个空穴传输层(40)、分别设于所述数个开口(21)内且位于所述数个空穴传输层(40)上的数个发光层(50)、分别设于所述数个开口(21)内且位于所述数个发光层(50)上的数个电子传输层(60)、以及分别设于所述数个电子传输层(60)上的数个阴极(70);

其中,所述钙钛矿发光层(50)包括钙钛矿材料及掺杂在钙钛矿材料中的聚合物材料。

7.如权利要求6所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中,所述聚合物材料的质量百分比为10%~90%;所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为量子点颗粒。

8.如权利要求6所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿材料包括有机金属卤化物钙钛矿材料与无机钙钛矿材料中的一种或多种;所述有机金属卤化物钙钛矿材料包括CH3NH3PbBr3与CH3NH3PbI3中的一种或多种;所述无机钙钛矿材料包括CsPbBr3;所述聚合物材料包括聚酰亚胺与聚氧化乙烯中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述钙钛矿发光层(50)中的钙钛矿材料为CH3NH3PbBr3,所述钙钛矿发光层(50)中的聚合物材料为聚酰亚胺。

10.如权利要求6所述的钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述数个钙钛矿发光层(50)包括数个红色钙钛矿发光层(51)、数个绿色钙钛矿发光层(52)、及数个蓝色钙钛矿发光层(53),所述红色钙钛矿发光层(51)的发光波长为630nm-690nm,所述绿色钙钛矿发光层(52)的发光波长为500nm-560nm,所述蓝色钙钛矿发光层(53)的发光波长为420nm-480nm。

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