[发明专利]形成低K间隔件的方法

权利要求书

1.一种形成间隔件的方法，包括：

在衬底上形成栅极堆叠件，其中，所述栅极堆叠件包括上表面和侧壁表面；

在所述栅极堆叠件的上表面和侧壁表面上形成第一间隔件；

在所述第一间隔件上方形成第二间隔件，所述第二间隔件包括硅(Si)、氧(O)和碳(C)；

在第一温度下利用等离子体处理所述第二间隔件第一时间段，所述等离子体包括氦(He)等离子体；

在第二温度下利用气体处理所述第二间隔件第二时间段，所述气体包括氮气(N₂)或氢气(H₂)；以及

去除形成在所述栅极堆叠件的上表面上方的所述第一间隔件的部分和所述第二间隔件的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括用金属栅极堆叠件替换所述栅极堆叠件，其中，所述金属栅极堆叠件形成在鳍有源区上方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一间隔件包括利用原子层沉积(ALD)工艺沉积所述第一间隔件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一间隔件包括硅(Si)、氧(O)、氮(N)和碳(C)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二间隔件包括用原子层沉积工艺沉积所述第二间隔件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一间隔件具有第一介电常数，所述第二间隔件具有第二介电常数，所述第二介电常数低于所述第一介电常数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二间隔件的介电常数小于4.0。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件均具有介于和之间的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二间隔件的硅原子的百分比约为26.3％，所述第二间隔件的碳原子的百分比约为10.6％，所述第二间隔件的氧原子的百分比约为57.1％。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述栅极堆叠件之后，形成自然氧化物层，所述自然氧化物层包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成在所述上表面上，所述第二部分形成在所述侧壁表面和所述上表面上，所述第一部分和所述第二部分具有不同的组成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二温度高于所述第一温度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极堆叠件包括金属层和介电层。

13.一种形成间隔件的方法，包括：

在衬底上形成栅极堆叠件，其中，所述栅极堆叠件具有上表面和侧壁表面；

在所述栅极堆叠件的侧壁表面上形成自然氧化物；

在第一温度下利用第一原子层沉积(ALD)工艺沉积第一间隔件并且所述沉积持续第一时间段，其中，所述第一间隔件覆盖所述栅极堆叠件的上表面和侧壁表面；

在所述第一间隔件上方形成第二间隔件，其中，形成所述第二间隔件包括：

在第二温度下利用第二原子层沉积工艺沉积所述第二间隔件并且所述沉积持续第二时间段，所述第二间隔件包括硅(Si)、氧(O)和碳(C)；

在第三温度下用氦(He)等离子体处理所述第二间隔件并且所述处理持续第三个时间段；以及

在第四温度下用氮气(N₂)气体退火所述第二间隔件并且所述退火持续第四时间段；以及

去除位于所述栅极堆叠件的上表面上方的所述第一间隔件的部分和所述第二间隔件的部分。