[发明专利]一种含有四烷基氢氧化铵的光刻胶去除液及光刻胶的去除方法在审
| 申请号： | 201710969167.2 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109686664A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛;孙富成;王致凯 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105;G03F7/42 |
| 代理公司： | 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 | 代理人： | 张倪涛 |
| 地址： | 214135 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机溶剂 光刻胶 去除液 去除 四烷基氢氧化铵 光刻胶去除 晶圆表面 衬底 吸电子官能团 衬底材料 工艺特征 气液混合 聚合物 良品率 胶和 晶圆 去胶 湿法 清洗 腐蚀 金属 应用 | ||
1.一种光刻胶的去除液，其特征在于：包括有机溶剂以及式(I)表示的四烷基氢氧化铵；
式中，R1、R2、R3、R4分别为1-4个碳的烷基；
所述有机溶剂为至少具有一个吸电子官能团的有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的光刻胶的去除液，其特征在于：所述光刻胶去除液还包括水。
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶的去除液，其特征在于，所述有机溶剂具有以下官能团中的至少一种：羟基、羰基、醛基、羧基、氨基、肟基；所述光刻胶去除液还包括至少一种有机物，所述有机物含有以下官能团中的至少一种:羟基、羰基、醛基、羧基、氨基、肟基。
4.根据权利要求2所述的光刻胶的去除液，其特征在于，所述有机溶剂为异丙醇或乙醇。
5.根据权利要求4所述的光刻胶的去除液，其特征在于，所述去除液各组分按质量百分比计，包括含量为0.5-7.5wt.％的四烷基氢氧化铵，含量为22.5-30wt.％的水，余量为有机溶剂。
6.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，使用权利要求1-5所述的去除液进行光刻胶的去除。
7.根据权利要求6所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：通过将所述去除液喷淋到光刻胶表面的方式进行去除。
8.根据权利要求7所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述去除液通过与气体充分混合后，形成气液混合态，然后再喷淋到光刻胶表面的方式进行去除。
9.根据权利要求8所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述气体为氨气、氧气、氮气、空气或臭氧的一种或多种的混合。
10.根据权利要求8所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述气体为空气或氧气，所述气体与所述去除液混合前，通过臭氧发生装置，部分或全部转化为臭氧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华瑛微电子技术有限公司，未经无锡华瑛微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710969167.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体结构及其制造方法
- 下一篇：半导体器件隔离侧墙制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
