[发明专利]画素结构有效
申请号: | 201710969551.2 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN107621734B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 李锡烈;罗方祯;艾迪尔·艾比里;威廉·丹·波尔 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 | ||
1.一种画素结构,其特征在于,包含:
一第一基板以及一第二基板,两者彼此分隔;以及
一液晶层,设置于该第一基板以及该第二基板之间,并具有多个液晶分子,该液晶层定义出多个画素,其中每一该些画素包含:
一画素电极,设置于该第一基板上并面朝该液晶层,其中该画素电极分割为N个第一区域,N为大于或等于8的正整数;
一共用电极,设置于该第二基板上并面朝该液晶层,其中该共用电极分割为N个第二区域,该共用电极的该N个第二区域的每一者沿着垂直于该第一基板的一垂直方向对应至该画素电极的该N个第一区域中的一对应者,其中:
该画素电极的该N个第一区域的每一者以及该共用电极的该N个第二区域的每一者由一方向性奈米线栅偏光图案形成;
该画素电极的该N个第一区域的每一者的该方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于该垂直方向的一第一延伸方向,其中该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案的该些第一延伸方向互不相同,该些第一区域中的两相邻者各自的该些方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向夹了约(360/N)度角;以及
该共用电极的该N个第二区域的该方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于该垂直方向的一第二延伸方向,且该第二延伸方向垂直于该画素电极中对应的该第一区域的该方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向;
一薄膜电晶体,设置于该第一基板上,具有一闸极、一源极以及
一汲极,其中该薄膜电晶体的该汲极电性连接至该画素电极的该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案;以及
一突出物,设置于该共用电极上,并面朝该液晶层,其中该共用电极的该N个第二区域绕着该突出物设置;
其中当该画素电极以及该共用电极由该薄膜电晶体提供的一电压差驱动时,该N个第一区域以及该N个第二区域的该些方向性奈米线栅偏光图案作用为偏光片。
2.如权利要求1所述的画素结构,其特征在于,每一该些画素进一步包含:
一彩色滤光层,设置于该第二基板以及该共用电极之间;以及
一黑色矩阵,设置于该第二基板上面朝该液晶层,其中该黑色矩阵位于该些画素之间,且于垂直该第一基板方向上该黑色矩阵和该N个第一区域以及该N个第二区域的该些方向性奈米线栅偏光图案不重叠。
3.如权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该方向性奈米线栅偏光图案的一线栅间距不大于200奈米。
4.如权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该液晶层沿着该垂直方向的一厚度介于2~5微米,且该突出物具有一宽度以及一高度,该宽度介于5~15微米而该高度介于1.0~1.4微米。
5.如权利要求1所述的画素结构,其特征在于,每一该些画素进一步包含:
一储存电容电极,设置于该第一基板以及该画素电极之间;以及
一钝化层,设置于该储存电容电极以及该画素电极之间,
其中该储存电容电极由该方向性奈米线栅偏光图案形成。
6.如权利要求5所述的画素结构,其特征在于,该储存电容电极被分为N个第三区域,该储存电容电极的该N个第三区域的每一者沿着该垂直方向对应至该画素电极的该N个第一区域中的一对应者;
该储存电容电极的该N个第三区域的每一者由该方向性奈米线栅偏光图案形成;以及
该储存电容电极的该N个第三区域的每一者的该方向性奈米线栅偏光图案具有一第三延伸方向,该第三延伸方向与该画素电极中对应的该第一区域的该第一延伸方向相同。
7.如权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该液晶层的该些液晶分子具有一负介电异向性常数。
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