[发明专利]一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺

权利要求书

1.一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：按照重量比为1：2～4的比例将高岭土与水混合，以200～300r/min的速率搅拌1～2小时，静置澄清后，取下层的沉淀泥料并以60～100r/min的速率球磨1～2小时，之后过100～400目筛，得到细泥，调节细泥的含水率为40～50%，之后定型得到粗坯体，利坯后得到坯体；

步骤2：将20～25重量份的高岭土、20～25重量份的氧化硅、15～20份的氧化铝、10～15重量份的硅灰石混合后加水球磨，然后过1200～1500目筛，调节其含水量为65～70%，得到釉水；

步骤3：将坯体进行整坯后在700～850℃的条件下烧制7～8小时，得到素坯，然后在素坯表面刻制深度为0.1～2mm的花纹，接着采用步骤2得到的釉水进行上釉并干燥，入窑后在1300～1400℃下烧制，出窑后进行选瓷、打磨得到隐形花纹陶瓷制品；

所述步骤3中上釉干燥后釉层厚度为0.1mm～2mm。

2.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤1中调节细泥的含水率后在6～8MPa的压力下定型得到粗坯体。

3.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤3中上釉干燥采用的方法为：将上釉后的坯体在温度为15～50℃、湿度为25～80%的条件下静置干燥。

4.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤3中上釉干燥采用的方法为：将上釉后的坯体在温度为20～45℃、真空度为0～0.3MPa的条件下静置干燥。

5.根据权利要求3或4所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述静置干燥的时间为48～120小时。

6.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤3中入窑后进行烧制的过程为：从常温以1～1.5℃/10min的速率升温至1150～1250℃，然后保温50～80分钟，接着以1.1～1.2℃/10min的速率升温至1300～1400℃，保温20～40分钟，最后自然降温至室温。

7.根据权利要求6所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤3中入窑后进行烧制的过程为：从常温以1.2℃/10min的速率升温至1200℃，然后保温60分钟，接着以1.17℃/10min的速率升温至1340℃，保温30分钟，最后自然降温至室温。

8.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤3中选瓷后采用600～1000目水砂轮机进行打磨。