[发明专利]在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品

权利要求书

1.一种在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，包括：

将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中，形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的环状化合物，

其中，R₁、R₂分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至20的烷基或卤代烷基、碳原子数2至20的烯基或卤代烯基、碳原子数1至20的烷氧基、碳原子数2至18的硅烷基、碳原子数3至18的硅氧基以及碳原子数6至12的芳基或卤代芳基；k为3至10中的任意整数。

2.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，R₁、R₂分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至10的烷基或卤代烷基、碳原子数2至10的烯基或卤代烯基、碳原子数1至10的烷氧基、碳原子数2至12的硅烷基、碳原子数3至12的硅氧基以及碳原子数6至12的芳基或卤代芳基。

3.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，R₁、R₂分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至6的烷基或卤代烷基、碳原子数2至6的烯基或卤代烯基、、碳原子数1至6的烷氧基、三甲基硅基、三甲基硅氧基以及碳原子数6至8的芳基或卤代芳基。

4.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，R₁、R₂分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至3的烷基或卤代烷基、碳原子数2至3的烯基或卤代烯基、碳原子数1至3的烷氧基、三甲基硅基、三甲基硅氧基以及苯基。

5.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于，

形成等离子体的气体还包括载气，载气选自惰性气体、CF₄、C₃F₈、N₂、H₂中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于：

包括由化学式(I)表示的化合物的形成所述等离子体的气体在等离子体设备的等离子体腔体中形成所述等离子体；

所述等离子体设备包括成对设置的电极，所述成对设置的电极容纳在所述等离子体腔体中。

7.根据权利要求6所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于：

所述成对设置的电极与连续射频电源相连接，施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为0.0001-5000w/m³；所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-60分钟；等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托。

8.根据权利要求7所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于：

施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为100-3000w/m³；所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-60分钟；等离子体腔体中的压强为0.1-1000毫托。

9.根据权利要求8所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于：

施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为600-2000w/m³；所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为5-15分钟；等离子体腔体中的压强为0.1-200毫托。

10.根据权利要求6所述的在物体表面形成保护层的方法，其特征在于：

所述成对的电极与脉冲射频电源相连接，施加到所述成对的电极的脉冲电功率密度范围为0.0001-5000w/m³；等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托；所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-80分钟；施加到所述成对的电极的脉冲频率为10-5000Hz；占空比为1％-95％。