[发明专利]在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品在审
申请号: | 201710971352.5 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN109675775A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 杨平;王俊;林捷 | 申请(专利权)人: | 上海稷以科技有限公司 |
主分类号: | B05D3/14 | 分类号: | B05D3/14;D06M10/08 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 200241 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一保护层 保护层 等离子体 第二保护层 表面暴露 表面形成 物体表面 暴露 | ||
1.一种在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,包括:
将所述物体的至少一部分表面暴露于第一等离子体中,以在所述物体的至少一部分表面形成第一保护层;和
将形成有所述第一保护层的所述物体的至少一部分表面暴露于第二等离子体中,以形成第二保护层;
形成所述第二等离子体的第二气体不同于形成所述第一等离子体的第一气体,
所述第二气体包含由化学式(II)表示的化合物,
其中,R1、R2、R3分别独立地选自氢、卤素、烷基、芳基、卤代烷基、卤代烯烃或卤代芳基;x为0至3中的任意一个整数;l为2至14中的任意整数;m为0至3中的任意整数;并且n=2l+1-m。
2.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,所述化学式(II)中,R1、R2、R3为氢或者甲基。
3.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,形成所述第一等离子体的第一气体包括由化学式(I)表示的化合物,
其中,T1代表C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基或C2-C3烯基;T2、T3、T4、T5、T6分别独立地代表氢、卤素、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基或C2-C3烯基;T2-T6中至少有一个不为氢或卤素。
4.根据权利要求3所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,所述化学式(I)中,当T1-T6中有且仅有两个为甲基时,其他非甲基的原子或取代基中至少有一个不为氢。
5.根据权利要求1至4所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,在将形成有所述第一保护层的所述物体的至少一部分表面暴露于第二等离子体中之前,先将形成有所述第一保护层的所述物体的至少一部分表面暴露于由包含氟代烃的第三气体形成的第三等离子体中,以形成中间层。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,
形成所述第一等离子体的第一气体还包括第一载气,所述第一载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种;且
形成所述第二等离子体的第二气体还包括第二载气,所述第二载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,形成所述第三等离子体的第三气体还包括第三载气,所述第三载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。
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