[发明专利]一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

（1）清洗单晶硅片；

（2）以纯度为99.999%的高纯甲烷和纯度为99.9995%的高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜；

（3）以氢气稀释体积比为10%的硅烷和以纯度为99.9995%高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中所制备的氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜；

（4）以氢气稀释体积比为10%的硅烷、纯度为99.999%的高纯甲烷和纯度为99.9995%的高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（3）中的氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜，其中氢气、硅烷的体积比为氢气90%，硅烷10%。

2.权利要求1所述的单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备氢化氮化碳薄膜的工艺参数是：射频功率300～400W，射频频率13.56MHz，基片温度250～350℃，腔体压强60～110Pa，高纯甲烷气体流量50～80sccm，高纯氨气气体流量30～50sccm，镀膜时间30～60秒，薄膜厚度为20～50纳米。

3.权利要求1所述的单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，

步骤（2）中，以高纯甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面沉积一层氢化氮化碳薄膜，其制备氢化氮化碳薄膜的工艺参数是：射频功率300W，射频频率13.56MHz，基片温度300℃，腔体压强60Pa，高纯甲烷气体流量50sccm，高纯氨气气体流量30sccm，镀膜时间30秒，薄膜厚度为20纳米。

4.权利要求1所述的单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备氢化氮化硅薄膜的工艺参数是：射频功率350～450W，射频频率13.56MHz，基片温度250～350℃，腔体压强100～160Pa，以氢气稀释的硅烷气体流量90～130sccm，高纯氨气气体流量100～150sccm，镀膜时间200～300秒，薄膜厚度为180～310纳米。

5.权利要求1所述的单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，以氢气稀释的硅烷和高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中所制备的氢化氮化碳薄膜表面沉积一层氢化氮化硅薄膜，制备氢化氮化硅薄膜的工艺参数是：射频功率400W，射频频率13.56MHz，基片温度300℃，腔体压强150Pa，以氢气稀释的硅烷气体流量110sccm，高纯氨气气体流量120sccm，镀膜时间250秒，薄膜厚度为210纳米。

6.权利要求1所述的单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，采用等离子体增强化学气相沉积技术制备含氢的碳氮化硅薄膜的工艺参数是：射频功率250～350W，射频频率13.56MHz，基片温度250～350℃，腔体压强120～180Pa，以氢气稀释的硅烷气体流量90～130sccm，高纯氨气气体流量60～90sccm，高纯甲烷气体流量80～120sccm，镀膜时间180～230秒，薄膜厚度为150～260纳米。

7.权利要求1所述的单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，以氢气稀释的硅烷、高纯甲烷和高纯氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（3）中的氢化氮化硅薄膜表面制备一层含氢的碳氮化硅薄膜，含氢的碳氮化硅薄膜的工艺参数是：射频功率300W，射频频率13.56MHz，基片温度300℃，腔体压强130Pa，以氢气稀释的硅烷气体流量100sccm，其中氢气、硅烷的体积比为：氢气90%，硅烷10%，高纯氨气气体流量60sccm，高纯甲烷气体流量90sccm，镀膜时间200秒，薄膜厚度为190纳米。