[发明专利]一种传感器芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种传感器芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底的其中一个表面上形成有一凹槽，所述凹槽具有一预设深度；

敏感材料层，其填充在所述凹槽内，且所述敏感材料层的厚度大于或等于所述凹槽的所述预设深度；和

电极材料层，其形成在所述基底的所述表面处，并与所述敏感材料层电连接，用于将所述敏感材料层的电信号传输至外电路。

2.根据权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，所述凹槽构造成从所述基底的所述表面沿着所述基底的厚度方向开设，所述基底的厚度大于所述预设深度。

3.根据权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，所述电极材料层是通过电子束蒸镀或磁控溅射的方式形成的。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的传感器芯片，其特征在于，所述电极材料层包括：

第一电极层，其具有至少一个形成在所述敏感材料层表面的第一连接端；和

第二电极层，其与所述第一电极层彼此分离，所述第二电极层具有至少一个形成在所述敏感材料层表面的第二连接端；

其中，所述第一连接端和所述第二连接端均与所述敏感材料层电连接。

5.根据权利要求4所述的传感器芯片，其特征在于，所述第一连接端和所述第二连接端均至少部分地覆盖在所述敏感材料层的表面。

6.根据权利要求1-3和5中任一项所述的传感器芯片，其特征在于，所述敏感材料层的结构为薄膜结构或厚膜结构。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一具有一凹槽的基底；

向所述凹槽内施加敏感材料，以在所述凹槽内形成敏感材料层；

在形成有敏感材料层的所述基底上施加电极材料，以形成电极材料层，所述电极材料层与所述敏感材料层电连接。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，施加所述电极材料的方法选择为电子束蒸镀或磁控溅射的方法。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，向所述凹槽内施加敏感材料的步骤中，所述敏感材料为液态敏感材料，以在液体挥发或蒸发后在所述凹槽内形成膜结构，所述膜结构作为所述敏感材料层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述膜结构为薄膜结构或厚膜结构。