[发明专利]跳孔结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一线路层，具有一层或多层线路结构；

第二线路层，具有一层或多层线路结构，位在该第一线路层的上方；

跳孔，具有传导材料，穿越通过包含该第二线路层的较高的线路阶层，其中，该传导材料与该第一线路层的该一层或多层线路结构接触；以及

通孔结构，包括保护材料，其中，该保护材料与在该较高的线路阶层处的该一层或多层线路结构的至少一层接触；

其中，该保护材料不位于该跳孔中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该保护材料是金属。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，该金属是钴及钌的其中一者。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该保护材料完全地或实质上完全地填覆该通孔结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，该传导材料形成线路层，该线路层在该通孔结构的该保护材料上方并与该保护材料接触。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，该保护材料部分地填覆该通孔结构。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，该传导材料填覆该通孔结构的剩余部分，与该保护材料接触。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，该传导材料形成线路层，该线路层在该通孔结构中的该保护材料上方并与该通孔结构接触。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，该保护材料为金属。

10.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：

形成通孔，以曝露较高的线路层的一层或多层线路结构；

形成保护材料于该通孔中，以屏蔽该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构；以及

形成穿越通过该较高的线路层及曝露较低的线路层的一层或多层线路结构的跳孔，而该保护材料保护该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在该跳孔的形成后及金属化制程以填覆该跳孔及该通孔前，移除该保护材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在后续的金属化制程以填覆至少该跳孔期间，该保护材料仍然留在该通孔中。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，该保护材料填覆或实质上填覆该通孔，并且还包括金属化制程填覆该跳孔及形成较高的金属线路以与该填覆的跳孔及该通孔两者接触。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，该保护材料为金属。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，该保护材料部分地填覆该通孔，并且还包括后续的金属化制程填覆该跳孔、该通孔的剩余部分及形成较高的金属线路以与该填覆的跳孔及该通孔接触。

16.一种制造半导体结构的方法，该方法包括：

形成具有一层或多层线路结构的线路层于较低的线路层中；

形成具有一层或多层线路结构的线路层于较高的线路层中，位在该较低的线路层的上方；

形成通孔，以曝露该较高的线路层的该一层或多层线路结构及穿越通过该较高的线路层及落在该较低的线路层的上方的通孔；

形成保护材料于该通孔中，以屏蔽该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构；

延伸落在该较低的线路层上的该通孔，以形成曝露该较低的线路层的该一层或多层线路结构的跳孔，而该保护材料保护该较高的线路层的该曝露的一层或多层线路结构；以及

以传导材料填覆至少该跳孔，以接触该较低的线路层的该一层或多层线路结构及以与该较高的线路层的该一层或多层线路结构接触。