[发明专利]一种花瓶状接触孔的制备方法

权利要求书

1.一种花瓶状接触孔的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一复合薄膜，所述复合薄膜包括一金属层以及覆盖于所述金属层上的待刻蚀层，所述待刻蚀层包括依次层叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层以及第二氧化层；

步骤S2，采用氧化物对氮化物为高刻蚀比的刻蚀体刻蚀所述待刻蚀层，形成延伸至所述金属层的上表面的至少一个花瓶状通孔，所述花瓶状通孔的上半部分的孔径相比所述花瓶状通孔的下半部分的孔径较大，且所述花瓶状通孔的上半部分具有一预设锥度；

步骤S3，对所述花瓶状通孔进行自校准；

步骤S4，采用一第一物理气相沉积工艺于所述花瓶状通孔的侧壁覆盖一第一保护层；

步骤S5，采用一第二物理气相沉积工艺于所述花瓶状通孔的底部覆盖一第二保护层；

步骤S6，填充所述花瓶状通孔形成花瓶状接触孔。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一物理气相沉积工艺为采用氩原子轰击所述花瓶状通孔的侧壁。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氩原子的流量为180～220sccm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二物理气相沉积工艺为采用氮气或氢气对暴露出的所述金属层的上表面进行还原。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用所述氮气的情况下，流量为280～320sccm；

采用所述氢气的情况下，流量为380～420sccm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括中间步骤：

于所述待刻蚀层的上表面依次制备一底部抗反射层和一光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影；

其中，所述步骤S2中，刻蚀所述待刻蚀层连同所述底部抗反射层一起刻蚀。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，制备所述底部抗反射层的时间为73～78s。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，制备所述底部抗反射层采用的气体为氮气；

所述氮气的流量为430～470sccm。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，制备所述底部抗反射层采用的气体为氢气；

所述氢气的流量为130～170sccm。