[发明专利]一种高通量氘‑氚中子发生器中子产额的测量方法

权利要求书

1.一种高通量氘-氚中子发生器中子产额的测量方法，其特征在于按照以下步骤进行：

步骤1：准备双裂变电离室，电离室内放置2片²³⁸U靶片；

步骤2：将裂变电离室放置在强流D-T中子源的中子场中，开机辐照，中子场中快中子与²³⁸U靶片发生反应，裂变碎片使工作气体电离；

步骤3：收集电离过程中形成的脉冲信号，将信号传给外部的脉冲输出记录谱仪；

步骤4：计算得到中子产额。

2.按照权利要求1所述一种高通量氘-氚中子发生器中子产额的测量方法，其特征在于：所述双裂变电离室为圆柱体。

3.按照权利要求1所述一种高通量氘-氚中子发生器中子产额的测量方法，其特征在于：所述双裂变电离室外壳为无氧铜。

4.按照权利要求1所述一种高通量氘-氚中子发生器中子产额的测量方法，其特征在于：所述2片²³⁸U靶片由3个收集极间隔开。

5.按照权利要求1所述一种高通量氘-氚中子发生器中子产额的测量方法，其特征在于：所述中子产额计算方法如下：

根据D-T快中子与U同位素²³⁸U作用发生反应产生的裂变碎片在气体中产的脉冲信号来确定反应数目，从而结合已有裂变截面值反推得到入射到电离室有效面积上的中子数目，进一步计算得到强流D-T中子发生器的中子产额：

Φ=NfNA×Σσi×mi/Ai]]>

其中Ф活性区中子注量，i＝238,N_f为测量到的裂变数，N_A为阿佛加德罗常数，σ_i裂变截面，m_i为摩尔质量，则中子产额为：

Y＝4π×R²×K×Ф

其中Y中子产额，K为修正系数，R为裂变室中心距离中子源的距离。