[发明专利]一种高能太赫兹脉冲产生装置及方法

权利要求书

1.一种铌酸锂晶体结合结构，其特征在于，包括：底角为62~63度，顶角为54~56度的等腰三角形棱柱铌酸锂晶体以及一个厚度为1~5mm的铌酸锂晶片，所述铌酸锂晶片通过光学接触的方法完全覆盖于所述等腰三角形棱柱铌酸锂晶体底边所在的柱面上；

其中，所述等腰三角柱形棱柱铌酸锂晶体的三个柱面经过光学抛光处理；所述铌酸锂晶体结合结构掺杂有5~6.2mol%的氧化镁。

2.一种高能太赫兹脉冲产生装置，其特征在于，包括：

飞秒激光器、反射光栅、半波片、成像透镜和如权利要求1所述的铌酸锂晶体结合结构，所述飞秒激光器发射的泵浦飞秒激光通过所述反射光栅衍射到所述半波片上，经过所述半波片改变所述泵浦飞秒激光的偏振方向后，再通过成像透镜后入射至如权利要求1所述的铌酸锂晶体结合结构中，从而在所述铌酸锂晶片中产生太赫兹脉冲辐射。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述反射光栅的刻线密度为1500~2000线每毫米。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述光栅和所述铌酸锂晶体结合结构之间的成像透镜为单个透镜、双透镜组合或柱透镜组合。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述成像透镜的成像倍数为0.3~0.6倍。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述泵浦飞秒激光入射到所述铌酸锂晶体结合结构时的所述泵浦飞秒激光的偏振方向与所述铌酸锂晶片的晶轴平行。

7.一种基于权利要求2-6任一所述装置的高能太赫兹脉冲产生方法，其特征在于，包括：

对飞秒激光器发射的泵浦飞秒激光进行光栅衍射后垂直射到半波片上，经过所述半波片改变所述泵浦飞秒激光的偏振方向后，再垂直射向成像透镜，进行缩小成像；

将缩小成像后的光束入射至如权利要求1所述的铌酸锂晶体结合结构中，在所述铌酸锂晶片内产生太赫兹脉冲辐射。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述泵浦飞秒激光入射到所述铌酸锂晶体结合结构时的所述泵浦飞秒激光的偏振方向与所述铌酸锂晶片的晶轴平行。