[发明专利]检测电源噪声的非易失性存储设备及其操作方法

说明书

一种非易失性存储设备，包括：存储单元阵列，存储数据；以及控制逻辑。所述控制逻辑被配置为控制对数据的读取操作、编程操作或擦除操作。所述控制逻辑还被配置为基于提供给存储单元阵列的电压源中的一个和第一参考电压，检测第一电源噪声，并基于电压源中的所述一个电压源、以及第一参考电压和第二参考电压中的每个，检测第二电源噪声。所述控制逻辑被配置为基于是否检测到第一和第二电源噪声中的至少一个，确定是否执行读取操作的操作时段、编程操作的操作时段或擦除操作的操作时段中的至少一个。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年10月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0142038的优先权的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本文公开的发明构思的示例实施例涉及半导体存储设备，并且更具体地涉及检测电源噪声的非易失性存储设备及其操作方法。

背景技术

半导体存储设备分为易失性半导体存储设备和非易失性半导体存储设备。

易失性半导体存储设备的读取和写入速度快，但是当不向其供电时，丢失存储在其中的数据。相反，即使不向其供电，非易失性半导体存储设备也保持其中存储的数据。为此，非易失性半导体存储设备用于存储不管是否向其供电都必须保持的信息。非易失性半导体存储设备包括掩膜式只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)等。

在非易失性半导体存储设备中，可能由于各种因素而产生错误。非易失性半导体存储设备可以通过从映射表去除其中产生错误的存储块来确保可靠性。然而，在大多数情况下，与由于物理缺陷导致的错误不同，由于电源噪声导致的错误可能是瞬时的。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种非易失性存储设备及其操作方法，检测电源噪声并使用检测结果来管理存储块。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种非易失性存储设备，包括：存储单元阵列，存储数据；以及控制逻辑，控制对数据的读取操作、编程操作或擦除操作。所述控制逻辑通过将要提供给存储单元阵列的电压源中的一个与第一参考电压比较来检测第一电源噪声，并通过将要提供所述电压源中的一个与第一参考电压和第二参考电压中的每一个比较来检测第二电源噪声。所述控制逻辑基于是否检测到所述第一电源噪声和第二电源噪声中的至少一个，确定是否执行读取操作、编程操作或擦除操作的操作时段中的至少一些。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种存储系统，包括非易失性存储设备，所述非易失性存储设备包括存储单元阵列和控制逻辑。所述存储单元阵列被配置为存储数据。所述控制逻辑被配置为控制对数据的读取操作、编程操作或擦除操作，基于要提供给存储单元阵列的电压源中的一个以及第一参考电压和第二参考电压来检测第一电源噪声和第二电源噪声，并基于是否检测到所述第一电源噪声和第二电源噪声中的至少一个，确定是否执行读取操作的操作时段、编程操作的操作时段或擦除操作的操作时段中的至少一个。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种非易失性存储设备的操作方法，包括：执行操作的第一时段；检测提供给存储单元阵列的电压源中的一个超过第一参考电压的第一电源噪声，以及检测所述电压源中的一个在所述第一参考电压和第二参考电压之间的第二电源噪声；在响应于检测到所述第二电源噪声调整所述操作的第一时段的操作条件之后，再次执行所述操作的第一时段；响应于未检测到第一电源噪声和第二电源噪声执行操作的第二时段；在操作的第二时段期间检测第一电源噪声或第二电源噪声；在响应于检测到第二电源噪声调整操作的第二时段的操作条件之后，再次执行操作的第二时段；并且响应于在操作的第一时段或第二时段期间检测到第一电源噪声，执行操作的恢复时段。