[发明专利]一种应用于TR组件的CMOS三端口放大器

权利要求书

1.一种应用于TR组件的CMOS三端口放大器，其特征在于：包含驱动放大器、低噪声放大器，驱动放大器输出端与低噪声放大器输入端直接相连，正向工作时，输入信号接驱动放大器的输入端，由公共端输出；反向工作时，输入信号接公共端，由低噪声放大器输出端输出；

驱动放大器包括晶体管M1、M2、M10、电感L1、Ld、电阻R1、R2、电容C1、C2，其中晶体管M1的漏极和晶体管M2的源极相连，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的栅极接电感L1的一端和电阻R2的一端，晶体管M2的漏极同时接电感Ld的一端、电容C2的一端和三端口放大器的公共端，晶体管M2的栅极接偏置电压VB2，电感Ld的另一端接电源，电容C2的另一端与电阻R2的另一端连接，电感L1的另一端接电容C1的一端和电阻R1的一端，电容C1的另一端作为三端口放大器的正向输入端口，电阻R1的另一端接晶体管M10的漏极，同时晶体管M10的漏极接偏置电压VB1，晶体管M10的源极接地，晶体管M10的栅极作为使能信号SW1输入端；

低噪声放大器包括晶体管M3、M4、M5、M20、M21、M22、M23、M24、M25、电容C5、C6、电感L2，电阻R3，其中晶体管M20的栅极作为使能信号SW2输入端，晶体管M20的漏极连接三端口放大器的公共端，晶体管M20的源极接到电感L2的一端，电感L2的另一端连接晶体管M4、M5、M25的栅极、电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接晶体管M4的漏极、电容C5的一端，晶体管M3、M25的源极接地，晶体管M4的源极接晶体管M21的漏极，晶体管M21、M22的栅极相连，M21、M22的源极相连且连到电源端，偏置电流Ibias输入晶体管M21、M22、M23的栅极和晶体管M22的漏极，晶体管M5的栅极接电容C5的另一端和偏置电压VB3，晶体管M5的漏极接电源端，晶体管M23的源极接电源端，晶体管M23的栅极接偏置电流Ibias，晶体管M5的源极、晶体管M23的漏极以及晶体管M24的源极连接在一起接到电容C6的一端，晶体管M24的栅极接偏置电压VB4，电容C6的另一端作为反相输出端，晶体管M24的漏极与晶体管M25的漏极连接在一起，M25的源极接地；

驱动放大器还包括电容C3，低噪声放大器包括电容C4，晶体管M2的漏极通过电容C3接三端口放大器的公共端，晶体管M20的漏极通过电容C4连接三端口放大器的公共端；

使能信号SW1、SW2同时为低电平时，驱放偏置电压VB1加在晶体管M1栅极，低噪放输入端断开，三端口放大器处于正向工作状态；

使能信号SW1、SW2同时为高电平时，驱放偏置电压VB1导向地，晶体管M1断开，低噪放输入端导通，三端口放大器处于反向工作状态；

正向工作时，驱动放大器采用电阻并联负反馈实现宽带输入匹配，R2是反馈电阻，电容C2用于限制低频信号的反馈；当R2无穷大时电路反馈为0，随着R2的减小，增益降低且主极点向高频移动；

反向工作时，在低噪声放大器中采用并联反馈结构进行噪声消除，在保证输入匹配的基础上，令输出噪声相抵消且不削弱传输的信号，从而减小噪声系数。

2.如权利要求1所述的应用于TR组件的CMOS三端口放大器，其特征在于：电阻R1为大于5K欧姆的电阻。