[发明专利]一种多孔硅制备方法在审
| 申请号： | 201710977841.1 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107572531A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 麦毅;万文文;吴复忠;李水娥;陈敬波;戴新义 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙)11362 | 代理人： | 张梅 |
| 地址： | 550025 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种多孔硅制备方法，其特征在于，包括如下步骤 ：
(a)量取3-5份的多晶硅粉，依次用氢氟酸、硫酸、乙醇、超纯水离心清洗；
(b)取0.01mol/L-O.O5mol/L硝酸银、20-50份碎冰块、4mol/L-6mol/L氢氟酸和水混合制成50~300份的混合溶液A，将多晶硅粉放入混合溶液A中搅拌反应2-5分钟，得A品；
(c)对A品进行离心清洗，得B品；
(d)取3-6mol/L氢氟酸、0.5%-3%双氧水、8-15份乙醇和水混合制成50~300份混合溶液B，将B品放入混合溶液B中冰浴搅拌腐蚀0.5h-1.5h，得C品；
(e)向C品中滴加0.3mol/L-1.2mol/L硼酸和0.5%-1.5%硝酸继续冰浴搅拌腐蚀0.5h-1.5h，得D品；
(f)用超纯水对D品进行离心清洗,得多孔硅。
2.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中的多晶硅粉的颗粒直径为4-15μm。
3.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备方法，其特征在于：所述步骤(b)中冰块由超纯水制成。
4.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备方法，其特征在于:所述步骤(d)、(e)中冰浴温度为-10℃-10℃。
5.根据权利要求1所述的一种多孔硅制备方法，其特征在于：所述步骤(a)、(c)和(f)中离心清洗的离心转速为3000-6000转/分钟。
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