[发明专利]等离子体间隙波导有效
申请号: | 201710977924.0 | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN107958674B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | R·费尔南德斯加西亚;A·D·巴尔博萨内拉;M·J·哈迪;M·A·吉宾斯 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/60 | 分类号: | G11B5/60;G02B6/122 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜;钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 间隙 波导 | ||
1.一种用于数据存储的装置,包括:
滑块,所述滑块被配置用于进行热辅助磁记录;
所述滑块的输入耦合器,所述输入耦合器被配置用于接收由光源产生的光;以及
所述滑块的波导,所述波导包括:
波导芯,所述波导芯沿着光传播方向从具有第一横截面宽度的第一部分逐渐变细为具有第二横截面宽度的第二部分,所述第二横截面宽度小于所述第一横截面宽度,并且所述第二部分具有输出端;
至少一个包层,所述至少一个包层至少围绕所述波导芯,其中,所述波导被配置用于响应于在换能器区域处接收到的所述光,在输出端附近提供表面等离子体增强近场辐射图案。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个包层包括金属材料。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个包层包括Au。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述波导芯在大约600nm至900nm的长度上逐渐变细。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述波导芯具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧,所述第一侧和所述第二侧沿着所述传播方向延伸,并且所述第一侧从所述第一横截面宽度到所述第二横截面宽度逐渐变细,而所述第二侧保持笔直。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二部分在大约15nm至40nm的长度上保持基本上恒定的宽度。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个包层包括围绕所述波导芯的第一部分的第一包层以及围绕所述波导芯的第二部分的第二包层,其中,所述第一和第二包层中的至少一者包括Au。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述波导芯包括Ta2O5。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述波导被配置用于将热量散离所述波导芯。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,光在具有所述第二横截面宽度的所述输出端的孔口处离开所述装置。
11.一种用于数据存储的装置,包括:
滑块,所述滑块被配置用于进行热辅助磁记录,所述滑块包括;
输入耦合器,所述输入耦合器被配置用于接收由光源激发的光;以及
波导,所述波导包括:
第一部分,所述第一部分自所述输入耦合器延伸,所述第一部分具有基本上恒定的第一横截面宽度;
第二部分,所述第二部分自所述第一部分延伸,所述第二部分沿着光传播方向从所述第一横截面宽度逐渐变细为第二横截面宽度,所述第二横截面宽度小于所述第一横截面宽度;
第三部分,所述第三部分自所述第二部分延伸,所述第三部分具有沿着所述光传播方向保持基本上恒定的所述第二横截面宽度,所述第三部分具有输出端;以及
至少一个包层,所述至少一个包层围绕所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分,其中,所述波导被配置用于响应于在换能器区域处接收到的所述光,在所述输出端附近提供表面等离子体增强近场辐射图案。
12.如权利要求11所述的装置,其特征在于,所述至少一个包层包括围绕所述第一部分的第一包层以及围绕所述第二部分和所述第三部分的第二包层。
13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述第一包层包括SiO2,并且所述第二包层包括Au。
14.如权利要求11所述的装置,其特征在于,所述第二部分在大约600nm至900nm的长度上逐渐变细。
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