[发明专利]一种硒化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硒化钼/硅异质结太阳能电池，其特征在于：以二维硒化钼薄膜和硅片为光敏单元，吸收可见光及近红外光，硒化钼/硅异质结为太阳能电池光生电子和空穴的核心收集单元。

2.一种硒化钼/硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）衬底清洗：以n型(100) 硅片为衬底，用稀HF酸浸泡去除Si表面的二氧化硅，再依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗，去除硅片上的有机物；用氮气吹干后再加热去除硅片表面的水汽；

（2）硒化钼薄膜制备：将硒化钼块放入石英管中，石英管温度升高至650～1000℃，对石英管抽真空至10^-1～10^-2 Pa；以流量为5～10 sccm的氩气为输送气体，将硒化钼块表面受热蒸发的硒化钼分子输送到硅片表面，成核生长为硒化钼薄膜；成核生长反应结束后，在温度为800℃、氩气气氛中退火处理30～60分钟，得到硒化钼/硅异质结；

（3）电极制作：以高纯镍为靶源，采用磁控溅射方法，在硒化钼薄膜表面溅射镍为接触电极，对硅片下表面蒸镀铝电极，形成太阳能电池的阴极，得到一种硒化钼/硅异质结太阳能电池。

3.根据权利要求2所述的一种硒化钼/硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤（2）的成核生长反应时间为5～10分钟；反应气压为40～100 Pa。