[发明专利]偏置电路及其构成的射频功率放大器在审
| 申请号： | 201710979182.5 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107733380A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张长伟;赵奂 | 申请（专利权）人： | 湖南格兰德芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H03F1/30;H03F1/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 412000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置 电路 及其 构成 射频 功率放大器 | ||
1.一种用于射频功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括：串联的偏置电路一和偏置电路二；
偏置电路一的第一端连接放大器件的基极，其第二端连接偏置电路二的第一端，偏置电路二的第二端接地；
其中，偏置电路一在直流条件下呈现较高阻抗，偏置电路一在交流条件下呈现较低阻抗；所述较高阻抗是指阻抗大于等于200欧姆，所述较低阻抗是指阻抗小于等于20欧姆。
2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于：偏置电路一包括并联的电阻Rb、偏置电路三和偏置电路四。
3.如权利2所描述的偏置电路三，其特征在于：偏置电路三包括串联的电感L1和电容C1，其中0nH≤L1≤1nH，0pF≤C1≤1pF。
4.如权利2所描述的偏置电路四，其特征在于：偏置电路四包括串联的电阻R1和电容C2,其中0Ω≤R1≤50Ω，0pF≤C2≤1pF。
5.如权利要求1或2所述的偏置电路，其特征在于：偏置电路二是直流电压源或镜像电流源。
6.一种具有权利要求1-4任意一项所述偏置电路的射频功率放大器，其特征在于，包括：功率源、输入匹配网络、电容C3、放大器件、第一扼流圈和输出匹配网络；
功率源一端接地另一端通过串联的输入匹配网络和电容C3连接放大器件的基极，放大器件的发射极接地，放大器件的集电极通过扼流圈连接电路电源并通过输出匹配网络连接天线端。
7.如权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于：放大器件可以是基于砷化镓(GaAs)、锗化硅(SiGe)或硅(Si)等工艺的双极性晶体管(BJT)。
8.一种由多个权利要求6所述射频功率放大器组成的射频功率放大器，其特征在于：多个偏置电路一连接到同一个偏置电路二，其中每一组偏置电路一的参数均可以独立设置。
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