[发明专利]一种多涂层硅晶体电池

权利要求书

1.一种多涂层硅晶体电池，包括电池框架，其特征在于，所述电池框架呈方框小，中部镂空，为安装槽口，所述安装槽口的下侧设有下限位板，所述下限位板与电池框架固定连接，安装槽口内自下而上依次设有TPT背膜、EVA背膜、电池板、石英层、减反射膜、散热膜和钢化玻璃，所述EVA背膜为2层，2层EVA背膜之间填充有散热填料，所述散热填料内嵌入有散热管，所述散热管呈S型盘绕，散热管的两端设有2个对接管套，所述2个对接管套内均设有微型电扇，且2个对接管套的一侧分别设有卡套式管接头和卡套式接头套管；

所述石英层的下端面水平，上端面上设有正棱台的凸起，所述凸起的数量为多个，多个凸起之间平行等间隔设置，凸起的纵截面为等腰梯形，其截面所呈的等腰梯形的下底角为α，所述3°＜α＜5°；

所述电池框架上设有上限位板和连接卡槽，所述上限位板呈方框形，位于安装槽口的上开口处，通过螺钉与电池框架固定连接，所述连接卡槽位于电池框架的上、下端面上，呈对称设置，连接卡槽由两条平行的连接槽构成，所述连接槽的截面呈T型，2个连接槽之间的间距为D1，连接卡槽上设有与之对应配合的卡块，所述卡块呈槽钢形，其两侧为插接块，所述插接块与连接槽对应配合，插接块之间的间距也为D2。

2.如权利要求1所述的一种多涂层硅晶体电池，其特征在于，所述2个连接槽中，靠近电池框架外缘的连接槽，其中心与电池框架的垂直距离为d，所述d＝0.5*D。

3.如权利要求1所述的一种多涂层硅晶体电池，其特征在于，所述连接槽之间的间距D1与插接块之间的间距D2存在以下关系，所述D1＝D2。

4.如权利要求1所述的一种多涂层硅晶体电池，其特征在于，所述卡块所呈的槽钢形的内壁设置橡胶垫，所述橡胶垫与卡块粘接固定。