[发明专利]鳍型场效晶体管及其制造方法有效

申请号：	201710979640.5	申请日：	2017-10-19
公开（公告）号：	CN108122985B	公开（公告）日：	2022-11-18
发明（设计）人：	官琬纯;庄孟哲;邱意为;翁子展	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	冯志云;王芝艳
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	鳍型场效晶体管及其制造方法
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【说明书】：

提供一种制造一半导体元件的方法，包括形成一长条半导体突出于一基板之上，形成隔离区域于此长条半导体的相对侧，使用一第一蚀刻制程于一第一反应室中将此隔离区域凹陷，以及，使用一第二蚀刻制程于此第一反应室中将此隔离区域的平坦度改善。

技术领域

本发明的一些实施例涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种鳍型场效晶体管及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路工业正经历快速的成长。在这段快速成长的期间，元件的功能密度一般是增加的而元件的特征尺寸或几何形状则是减少的。此微缩过程通常提供了增加生产效率、降低成本及/或改善表现的优点。但是如此的微缩也增加了集成电路制程的复杂度，并且，能够真正实现这些微缩制程的演进也必须在半导体制程上有所提升。

类似地，集成电路对于增加表现和缩小几何面积的需求也导致了多重栅极元件的开始研发。这些多重栅极元件包括多重栅极鳍型晶体管，通常也可以称为鳍型场效晶体管(fin FET)元件，因为通道是形成于自基板向上延伸的鳍型结构上。鳍型场效晶体管(finFET)元件可以在允许元件栅极宽度缩减的同时又能提供栅极位于包括通道区域的鳍型结构的两侧及/或之上。

发明内容

本发明实施例提供一种制造一半导体元件的方法，包括形成一长条半导体突出于一基板之上，形成隔离区域于此长条半导体的相对侧，使用一第一蚀刻制程于一第一反应室中将此隔离区域凹陷，以及，使用一第二蚀刻制程于此第一反应室中将此隔离区域的平坦度改善。

附图说明

本发明实施例的各实施方式可通过一并参照下列实施方式段落内容及各附图理解。请注意，为了便于说明或符合业界实务，图中显示的特征可能并非以精确比例绘示，或其尺寸可能并非精准，可以是随意的增加或减少以方便讨论。本发明实施例所附附图说明如下：

图1显示根据本发明某些实施例的一鳍型场效晶体管元件的透视图。

图2A-3B显示根据本发明某些实施例的形成一鳍型场效晶体管元件不同制程阶段中的剖面图。

图4显示根据本发明某些实施例的一蚀刻系统的示意图。

图5显示根据本发明某些实施例的一鳍型场效晶体管元件的鳍型结构和隔离结构的详细示意图。

图6A-7B显示根据本发明某些实施例的形成一鳍型场效晶体管元件于图2A-3B后不同制程阶段中的剖面图。

图8显示根据本发明某些实施例的制造一半导体元件的制程流程图。

【符号说明】

100、300 半导体元件