[发明专利]一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法

权利要求书

1.一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)将p型硅片置于HF/HNO₃混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕；

2)将清洗后的硅片置于碱性溶液中进行制绒，之后进行背面抛光；

3)将背面抛光后的硅片进行氧化，使SiO₂的厚度为10-15nm；

4)将硅片背面进行纳秒激光开膜；

5)在硅片背面进行丝网局域印刷硼浆料，之后在800-1200℃下退火；

6)利用POCl₃在硅片正面沉积PSG，并采用皮秒激光掺杂形成选择性发射极；

7)在硅片正面先沉积一层高折射率SiN_x膜，之后再沉积一层低折射率SiN_x膜；

8)在硅片背面先沉积一层Al₂O₃，再沉积一层SiN_x，或直接在硅片背面沉积一层SiO_x，之后在400-450℃下退火；

9)在硅片正面进行丝网印刷银浆料，在硅片背面印刷银铝浆料，烧结后即可。

2.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤1)中，所述的HF/HNO₃混合溶液中，HF与HNO₃体积比为1:1-5。

3.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述的碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液。

4.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述的背面抛光过程在HF/HNO₃混合溶液中进行。

5.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤3)中，所述的氧化为高温热氧化，该高温热氧化的温度为650-870℃。

6.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤5)中，所述的退火过程在氮气或氧气中进行。

7.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤7)中，所述的高折射率SiN_x膜的厚度为9-11nm，折射率为2.5-2.9；所述的低折射率SiN_x膜的厚度为60-80nm，折射率为2-2.1。

8.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤8)中，硅片背面的Al₂O₃层的厚度为5-20nm，SiN_x层的厚度为70-100nm，SiO_x层的厚度为70-100nm。

9.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤9)中，所述的烧结温度为850-910℃。

10.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述的背面抛光过程在单抛机中进行；步骤3)中，所述的氧化过程在干氧化炉中进行；步骤6)中，所述的正面沉积过程在高温炉中进行；步骤7)中，利用管式PECVD设备或板式PECVD设备在硅片正面沉积SiN_x膜；步骤8)中，利用ALD设备或PECVD设备在硅片背面沉积一层Al₂O₃，之后再利用PECVD设备沉积一层SiN_x。