[发明专利]半导体封装结构在审
申请号: | 201710980245.9 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN108022888A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 林子闳;刘乃玮;彭逸轩;黄伟哲 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/535 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
本发明实施例公开了一种半导体封装结构。其包括:重分布层结构,其中该重分布层结构包括:重分布层接触垫;以及钝化层,设置在该重分布层接触垫上,其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口,使得该重分布层接触垫从该开口中露出;其中,于平面视图中,该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。本发明实施例,可以改善半导体封装结构的稳定性。
技术领域
本发明涉及封装技术,尤其涉及一种半导体封装结构。
背景技术
为了确保电子产品与通讯装置之持续小型化与多功能性,具有小尺寸、支持多引脚连接、高速操作且具有高功能性的半导体封装受到期待。这些因素迫使半导体封装制造者发展了扇出(fan-out)半导体封装。但是,多功能芯片封装增加的I/O(Input/output,输入/输出)连接数会诱发热电问题,例如散热、串扰、信号传播延迟、RF(Radio Frequency,射频)电路中的电磁干扰等问题。热电问题会影响产品的可靠性与质量。
因此,一种创新的半导体封装结构受到期待。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种半导体封装结构。
本发明实施例提供了一种半导体封装结构,包括:重分布层结构,其中该重分布层结构包括:重分布层接触垫;以及钝化层,设置在该重分布层接触垫上,其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口,使得该重分布层接触垫从该开口中露出;其中,于平面视图中,该开口的第一位置与该开口的中心点之间的距离不同于该开口的第二位置与该开口的中心点之间的距离。
其中,该重分布层接触垫的边界上的第三位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离等于该重分布层接触垫的边界上的第四位置与该重分布层接触垫的中心点之间的距离。
其中,该第一位置与该第三位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第一直线上。
其中,该第二位置与该第四位置位于穿过该开口的中心点与该重分布层接触垫的中心点的第二直线上。
其中,沿该第一直线的该第一位置与该第三位置之间的距离不同于沿该第二直线的该第二位置与该第四位置之间的距离。
其中,在平面视图中,该开口具有第一形状,以及该重分布层接触垫具有第二形状,其中该第一形状不同于该第二形状。
其中,该第一形状为非圆形的形状。
其中,该第一形状具有旋转对称性。
其中,该第一形状包括:花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。
其中,该钝化层具有与该重分布层接触垫重叠的重叠区,其中该重叠区的内边界的形状不同于该重叠区的外边界的形状。
其中,该重分布层接触垫的边界围绕该开口。
其中,进一步包括:半导体晶粒,设置在该重分布层结构的第一表面上并且电性耦接至该重分布层结构;模塑料,围绕该半导体晶粒并且接触该半导体晶粒以及该重分布层结构的该第一表面;以及导电结构,设置在该重分布层结构的第二表面上,并且接触和电性耦接至该重分布层接触垫,其中该第一表面和该第二表面互为相反面。
本发明实施例提供了一种半导体封装结构,包括:重分布层结构,其中该重分布层结构包括:重分布层接触垫;以及钝化层,设置在该重分布层接触垫上,其中该钝化层具有对应该重分布层接触垫的开口,使得该重分布层接触垫从该开口露出;其中,于平面视图中,该开口具有第一形状且该重分布层接触垫具有第二形状,其中该第一形状不同于该第二形状。
其中,该第一形状为非圆形的形状。
其中,该第一形状具有旋转对称性。
其中,该第一形状包括:花瓣形、椭圆形、多边形或者星状形。
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