[发明专利]基于三维纵向可写存储阵列的可编程门阵列

权利要求书

1.一种可编程门阵列(400)，其特征在于含有：

一半导体衬底(0);

多个包括一可编程逻辑单元(200)的可编程逻辑单元 (200AA-200AD)，该可编程逻辑单元位于该半导体衬底(0)上并从一逻辑运算库中选择性地实现一种逻辑运算；

多个包括一可编程计算单元(100)的可编程计算单元 (100AA-100AD)，该可编程计算单元(100)含有一三维纵向可写存储阵列(110)并存储一基本函数的至少部分查找表（LUT），该可写存储阵列(110)堆叠在该可编程逻辑单元(200)上并与之电耦合；

多个将该可编程计算单元(100AA-100AD)和该可编程逻辑单元(200AA-200AD)选择性耦合的可编程连接(300)；

通过对该可编程计算单元(100AA-100AD)、该可编程逻辑单元(200AA-200AD)和该可编程连接(300)进行编程以实现一复杂函数，该复杂函数是所述基本函数的一种组合。

2.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器为一次编程存储器(OTP)。

3.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器为多次编程存储器(MTP)。

4.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器含有晶体管。

5.根据权利要求4所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器为三维闪存。

6.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器含有类晶体管器件。

7.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器含有二极管。

8.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：该三维纵向存储器含有类二极管器件。

9.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：其使用过程包括一设置阶段(610)，在该设置阶段(610)中根据用户需要将一函数的LUT加载到可写存储阵列(110)中。

10.根据权利要求1所述的可编程门阵列(400)，其特征还在于：其使用过程包括一使用阶段(630)，在该使用阶段(630)中在可写存储阵列(110)中查找相应的LUT来获得该函数的值。