[发明专利]一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置

权利要求书

1.一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，设于支撑平台上，其特征在于：包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、至少一个可拆卸的设于所述坩埚本体和所述坩埚盖之间的坩埚套筒，所述坩埚套筒包括套筒本体、连接在所述套筒本体上端的用于将所述套筒本体固定在所述坩埚盖上的第一连接部、连接在所述套筒本体下端的用于将所述套筒本体固定在所述坩埚本体上的第二连接部；

当所述坩埚套筒至少有两个时，上部的所述坩埚套筒的所述第二连接部固定在下部的所述坩埚套筒的所述第一连接部上。

2.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述第一连接部为第一套筒，所述坩埚盖下端设有用于配合的套设于所述第一套筒内侧周部或外侧周部的第二套筒。

3.根据权利要求2所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述第一套筒的外径与所述套筒本体的外径相同，且所述第一套筒的内径大于所述套筒本体的内径。

4.根据权利要求2所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述第一套筒的外径小于所述套筒本体的外径，且所述第一套筒的内径与所述套筒本体的内径相同。

5.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述第二连接部为第三套筒，所述坩埚本体上端设有用于配合的套设于所述第三套筒内侧周部或外侧周部的第四套筒。

6.根据权利要求5所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述第三套筒的外径与所述套筒本体的外径相同，且所述第三套筒的内径大于所述套筒本体的内径。

7.根据权利要求5所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述第三套筒的外径小于所述套筒本体的外径，且所述第三套筒的内径与所述套筒本体的内径相同。

8.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述多段式坩埚装置还包括设于所述坩埚本体和所述支撑平台之间的定位机构。

9.根据权利要求8所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述定位机构包括设于所述坩埚本体下表面的第一凸起部、设于所述支撑平台上表面的用于配合所述第一凸起部插入的第一凹陷部。

10.根据权利要求8所述的一种用于氮化铝单晶生长的多段式坩埚装置，其特征在于：所述定位机构包括设于所述支撑平台上表面的第二凸起部、设于所述坩埚本体下表面的用于配合所述第二凸起部插入的第二凹陷部。