[发明专利]一种双绕组电源电路在审
申请号: | 201710982954.0 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107733255A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 祝乃儒;徐栋 | 申请(专利权)人: | 福建省福芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M1/08 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)35219 | 代理人: | 林祥翔,徐剑兵 |
地址: | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绕组 电源 电路 | ||
技术领域
本发明涉及芯片电路设计领域,尤其涉及一种新颖的双绕组电源电路
背景技术
目前,能源技术是推动社会进步文明发展的关键技术。锂电池和LED照明等节能技术在实现广泛应用的同时,也要求着相关技术逐步改进,以此进一步构建新型节能社会。
现有的ACDC电源和LED照明电路需要辅助绕组供电,如图1。图中的PSR IC(Primary Side Regulator Integrated Circuit,原边调整集成电路)只包含一个模块PSR Controller(Primary Side Regulator Controller,原边调整控制器)。模块PSR Controller由辅助绕组在VCC处供电,输出PSR_DRV控制原边功率管PSR_MOS(PSR_MOS是一个耐压为700V的单极晶体管,在这里可以等效为一个理想开关。当信号PSR_DRV为高电平时,这个晶体管导通,当信号PSR_DRV为低电平时,这个晶体管关断)的通断。调节PSR_MOS通断的占空比和频率,实现控制原边到次变能量传递的大小,进而实现输出电压VO恒定或者输出电流IO恒定。
图1中为PSR Controller供电的辅助绕组会提高整机成本,同时不利于变压器小型化。
发明内容
为此,需要提供一种能够省去辅助绕组供电,能够从高压取电的双绕组电源电路,为下一级输出供电。
为实现上述目的,发明人提供了一种双绕组电源电路,包括高压取电电路、片上电源生成电路、调节控制单元、调节场效应管、变压器;
所述高压取电电路用于接收高压输入并进行稳压、降压,所述片上电源生成电路用于对高压取电电路的输出进行转化输出给调节控制单元,所述调节控制单元用于控制调节场效应管的通断,所述调节场效应管用于调节变压器绕组上的输出;
所述高压取电电路的输入端与电源连接,输出端与片上电源生成电路输入端连接,片上电源生成电路的输出端与调节控制单元输入端连接,调节控制单元输出端与调节场效应管的栅极连接,调节场效应管的源极通过变压器绕组与电源连接,漏极接地。
进一步地,所述高压取电电路包括第一场效应管,所述第一场效应管的源极和栅极与高压取电电路输入端连接,漏极与高压取电电路输出端连接,第一场效应管的栅极还通过连接齐纳管接地。
进一步地,所述片上电源生成电路包括第二场效应管、第三场效应管;所述第二场效应管的漏极和栅极与片上电源生成电路输入端连接,源极与片上电源生成电路的输出端连接;所述第二场效应管的栅极还与第三场效应管的源极连接,所述第三场效应管的栅极通过电源检测单元与片上电源电路的输出端连接,所述第三场效应管的漏极接地;所述电源检测单元用于检测一端管脚的电平并从另一管脚输出控制电平。
具体地,所述调节控制单元为原边控制器。
优选地,包括原边集成芯片,所述原边集成芯片包括高压取电电路、片上电源生成电路、调节控制单元;所述原边集成芯片的输入管脚与高压取电电路输入端连接,输出管脚与调节控制单元输出端连接。
可选地,包括高压集成芯片,所述高压集成芯片包括高压取电电路、调节场效应管;
所述高压集成芯片包括高压输入脚、低压输出脚、控制输入脚、调节输出脚,所述高压输入脚与高压取电电路的输入端连接,低压输出脚与高压取电电路输出端连接,所述控制输入脚与调节场效应管栅极连接,调节输出脚与调节场效应管的源极连接。
优选地,包括控制集成芯片,所述控制集成芯片包括片上电源生成电路、调节控制单元;
所述控制集成芯片包括低压输入脚,控制输出脚,所述低压输入端与片上电源生成电路输入端连接,所述控制输出脚与调节控制单元输出端连接;还包括接地脚,所述接地脚与片上电源生成电路输出端连接。
区别于现有技术,上述技术方案通过设计高压取电电路,省去了在变压器中用于产生压降的一个绕组,对电源电路的设计来说是一个极大的简化并且节约了材料,提高了VCC输出的稳定性,新设计的电路可以通过高端工艺相互集成,在具体实施上也有一定的成本优势。
附图说明
图1为背景技术所述的多绕组电源电路的设计图;
图2为具体实施方式所述的双绕组电源电路示意图;
图3为具体实施方式所述的双绕组电源电路元件示意图;
图4为具体实施方式所述的高压取电电路片上剖样视图;
图5为具体实施方式所述的VCC检测子模块示意图;
图6为具体实施方式所述的集成芯片示意图;
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