[发明专利]目标最佳化方法有效
申请号: | 201710982998.3 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN108227393B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 张世明;谢艮轩;周硕彦;刘如淦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 目标 最佳 方法 | ||
1.一种目标最佳化方法,其特征在于,包括:
接收用于具有理想程序条件的一目标图案的一集成电路设计布局,其中该目标图案包括具有一目标轮廓的一目标特征;
修改该目标特征的该目标轮廓,以补偿导致一制造图案不同于该目标图案的复数程序条件;
根据该限制层定义一成本函数,其中该成本函数与该目标特征的一轮廓和该限制层之间的一空间关系相关;
当修改后的该目标特征的该目标轮廓达到一限制层对该目标图案所定义的功能性时,利用该成本函数产生一最佳化的目标图案,其中该限制层定义在该目标图案中限制修改后的该目标特征的该目标轮廓的部分;以及
根据该最佳化的目标图案制造一遮罩。
2.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中当修改后的该目标特征的该目标轮廓最小化该成本函数时,产生该最佳化的目标图案。
3.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中当修改后的该目标特征的该目标轮廓的一位置接近该限制层的一边界时,该成本函数的一不利成本增加。
4.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中该成本函数与修改后的该目标特征的该目标轮廓的一离焦、一能量偏差以及一遮罩偏置相关。
5.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中该限制层包括该目标图案的一禁止区域,其中该禁止区域定义在该目标图案中不会被修改后的该目标特征的该目标轮廓接触的部分。
6.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中该限制层包括该目标图案的一降落区域,其中该降落区域定义在该目标图案中必需被修改后的该目标特征的该目标轮廓所覆盖的部分。
7.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中该限制层包括该目标轮廓的一功能区段,其中该功能区段贡献该目标图案的功能性,并且其中当产生该最佳化的目标图案时,修改后的该目标特征的该目标轮廓在该功能区段符合该目标轮廓。
8.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,其中该目标图案包括一切割图案和一集成电路特征图案,该目标特征是一切割特征,并且该限制层定义在该集成电路特征图案中限制修改后的该目标特征的该目标轮廓的部分。
9.如权利要求第1项所述的目标最佳化方法,更包括利用该遮罩和与最小化根据该限制层所定义的该成本函数相关的复数制程参数制造一晶圆。
10.一种目标最佳化方法,包括:
接收用于具有理想程序条件的一目标图案的一集成电路设计布局;
根据该目标图案的一功能性定义一限制层,其中该限制层定义该目标图案的一部分,当该目标图案的一目标特征的一轮廓被修改以补偿导致一制造图案不同于该目标图案的复数程序条件时,该目标图案的该部分限制该目标图案的该目标特征的该轮廓;
定义一成本函数,该成本函数与该目标特征的该轮廓和该限制层之间的一空间关系相关;
利用该限制层和该成本函数,修改该目标特征的一目标轮廓;
当修改后的该目标特征的该目标轮廓最小化该成本函数时,产生一最佳化的目标图案;以及
根据该最佳化的目标图案制造一遮罩。
11.如权利要求第10项所述的目标最佳化方法,其中该目标图案定义用于形成由该集成电路设计布局所定义的一集成电路特征的一第一图案层和一第二图案层,该目标特征是该第二图案层的一部分,并且该限制层定义在该第一图案层中限制该目标特征的部分。
12.如权利要求第10项所述的目标最佳化方法,还包括模拟一光刻程序,以模拟该制造图案,其中该光刻程序使用一遮罩,该遮罩包括具有修改后的该目标轮廓的该目标特征。
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