[发明专利]一种高压静电集尘装置用升压电源系统在审
申请号: | 201710983789.0 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107592014A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 余泓德 | 申请(专利权)人: | 成都塞普奇科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02M1/44;B03C3/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 静电 集尘 装置 升压 电源 系统 | ||
1.一种高压静电集尘装置用升压电源系统,其特征在于,主要由调节芯片U2,二极管整流器U1,场效应管MOS,与调节芯片U2的SW管脚相连接的电感滤波电路,正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极经电阻R1后与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1,一端与二极管整流器U1的正极输出端相连接、另一端接地的电阻R2,P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、N极与调节芯片U2的VIN管脚相连接的稳压二极管D1,一端与调节芯片U2的TAB管脚相连接、另一端与调节芯片U2的GND管脚相连接后接地的电阻R3,一端与调节芯片U2的VIN管脚相连接、另一端与电感滤波电路相连接的电感L,P极与调节芯片U2的SW管脚相连接、N极与场效应管MOS的源极相连接的二极管D2,正极经电阻R4后与调节芯片U2的FB管脚相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C4,P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极经可调电阻R5后与二极管D2的N极相连接的二极管D3,正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与可调电阻R5的调节端相连接的极性电容C2,正极经电阻R6后与调节芯片U2的COMP管脚相连接、负极经电阻R7后与二极管D3的N极相连接的极性电容C5,以及正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与二极管D3的N极相连接后接地的极性电容C3组成;所述极性电容C1的负极接地;所述二极管整流器U1的两个输入端共同形成电源电路的输入端;所述极性电容C5的正极接地;所述二极管D2的N极与极性电容C3的负极共同形成电源电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的一种高压静电集尘装置用升压电源系统,其特征在于,所述电感滤波电路由放大器P01,极性电容C01,一端与放大器P01的正极相连接、另一端经电感L后与调节芯片U2的VIN管脚相连接的电阻R01,一端与极性电容C01的负极相连接、另一端接地的电阻R02,一端与放大器P01的正极相连接、另一端接地的电阻R03,正极与放大器P01的正极相连接、负极与放大器P01的输出端相连接的极性电容C02,一端与极性电容C02的正极相连接、另一端与放大器P01的输出端相连接的电阻R04,一端与极性电容C02的正极相连接、另一端与放大器P01的输出端相连接的可调电阻R05,正极与放大器P01的负极相连接、负极与放大器P01的输出端相连接的极性电容C03,一端与极性电容C03的正极相连接、另一端与极性电容C03的负极相连接的电阻R06,以及一端与放大器P01的输出端相连接、另一端与调节芯片U2的SW管脚相连接的电阻R07组成;所述放大器P01的负极接地。
3.根据权利要求2所述的一种高压静电集尘装置用升压电源系统,其特征在于,所述调节芯片U2为LM2577S-ADJ集成芯片。
4.根据权利要求3所述的一种高压静电集尘装置用升压电源系统,其特征在于,所述二极管整流器U1为4只1N5221B二极管组成的二极管整流器。
5.根据权利要求4所述的一种高压静电集尘装置用升压电源系统,其特征在于,所述可调电阻R5的阻值可调范围为100~200Ω。
6.根据权利要求5所述的一种高次谐波抑制的高压静电集尘装置用升压电源电3路,其特征在于,所述场效应管MOS为MTP3N80场效应管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都塞普奇科技有限公司,未经成都塞普奇科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710983789.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种隔离型直流变换器
- 下一篇:模块化变频器