[发明专利]基底加工设备及加工基底的方法

说明书

一种基底加工设备，包括：设置在腔室中的台架；喷洒头，在所述喷洒头中形成有多个狭缝，并且所述喷洒头与所述台架相对；第一气体供给部，其经由所述多个狭缝将第一气体供给至所述台架与所述喷洒头之间的空间；以及第二气体供给部，其将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。

技术领域

本发明涉及一种用于加工诸如半导体薄片的基底的基底加工设备，并且涉及一种通过使用所述基底加工设备来加工基底的方法。

背景技术

US9,123,510B2公开了一种基底加工设备，其中加工气体经由气体扩散板中的开口被供给至加工空间。

在一些情况下，支撑在台架上的基底通过从台架上方供给清洁的气体或形成气体的薄膜而被加工。例如，在这样的情况下，使诸如氦气或氩气的惰性气体流过台架下方的区域，使得从台架上方供给的气体不以迂回的方式流过台架下方。流过台架下方的区域的气体在一些情况下被称作“密封气体”。当从台架上方供给的气体的量增加时，需要也增加密封气体的流速。

如果增加密封气体的流速，则在台架下方的区域中发生放电。在所形成的薄膜的轮廓通过调节密封气体的流速而被控制的情况下，也会出现在台架下方的区域中发生放电的问题。在执行等离子CVD的一些情况下，增加射频(RF)功率从而增加通过基底加工设备形成薄膜的速度。如果RF功率增加，用于台架下方的区域中的放电的裕量变得更小，放电能够更容易地发生。在这些情况下，存在对能够抑制台架下方的区域中的放电的基底加工设备和方法的需要。

发明内容

由于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够抑制台架下方的区域中的放电的基底加工设备和方法。

本发明的特征和优点可以总结如下。

根据本发明的一个方案，基底加工设备包括：腔室；台架，其设置在所述腔室中；喷洒头，所述喷洒头中形成多个狭缝，并且所述喷洒头与所述台架相对；第一气体供给部，其经由所述多个狭缝将第一气体供给至所述台架与所述喷洒头之间的空间；以及第二气体供给部，其将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。

根据本发明的另一个方案，加工基底的方法包括如下的在腔室中对台架上的基底执行等离子加工的加工过程：通过经由喷洒头中的多个狭缝将第一气体供给至所述喷洒头与所述台架之间的空间，通过同时将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，并且通过在供给所述第一气体和所述第二气体的同时将射频功率施加至所述喷洒头，其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。

本发明的其他和进一步的目的、特征以及优点将更加全面地下面的描述中显现。

附图说明

图1为基底加工设备的截面图；

图2为示出了加工基底时的气体流动的示意图；

图3为第二气体与放电的发生/不发生之间的关系的表格；

图4为示出了薄膜的轮廓的示意图；并且

图5为示出了第一气体的流速与薄膜厚度均匀性的图表。

具体实施方式

将参照附图描述根据本发明的实施例的基底加工设备和基底加工方法。彼此相同或相对应的部件分配有相同的附图标记，并且在一些情况下避免对它们的重复描述。