[发明专利]一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路

权利要求书

1.一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路，其特征在于，主要由调节芯片U2，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，与调节芯片U2的SW管脚相连接的电感滤波电路，正极与三极管VT2的基极相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C9，正极与三极管VT2的基极相连接后接地、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，正极经电阻R12后与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT4的基极相连接的极性电容C8，P极经电阻R11后与三极管VT2的发射极相连接、N极与极性电容C8的正极相连接的二极管D5，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与调节芯片U2的COMP管脚相连接的电阻R10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接后接地的可调电阻R13，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极经电阻R1后与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，正极与三极管VT1的发射极相连接、负极接地的极性电容C2，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极经电感L1后与极性电容C2的负极相连接的二极管D1，正极经电阻R2后与极性电容C2的负极相连接、负极经电阻R3后与三极管VT1的基极相连接的极性电容C3，一端与极性电容C3的负极相连接、另一端接地的电阻R4，P极与极性电容C3的负极相连接、N极与调节芯片U2的VIN管脚相连接的稳压二极管D2，一端与调节芯片U2的TAB管脚相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R5，一端与调节芯片U2的VIN管脚相连接、另一端与电感滤波电路相连接的电感L2，P极与调节芯片U2的SW管脚相连接、N极与场效应管MOS的源极相连接的二极管D3，正极经电阻R6后与调节芯片U2的FB管脚相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C6，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极经可调电阻R7后与二极管D3的N极相连接的二极管D4，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与可调电阻R7的调节端相连接的极性电容C4，正极经电阻R8后与调节芯片U2的COMP管脚相连接、负极经电阻R9后与二极管D4的N极相连接的极性电容C7，以及正极与场效应管MOS的源极相连接、负极与二极管D4的N极相连接后接地的极性电容C5组成；

所述二极管D5的N极与三极管VT3的发射极相连接；所述三极管VT1的集电极还与二极管整流器U1的正极输出端相连接；所述极性电容C1的负极接地；所述二极管整流器U1的两个输入端共同形成电源电路的输入端；所述极性电容C7的正极接地；所述二极管D3的N极与极性电容C5的负极共同形成电源电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路，其特征在于，所述电感滤波电路由放大器P01，极性电容C01，一端与放大器P01的正极相连接、另一端经电感L2后与调节芯片U2的VIN管脚相连接的电阻R01，一端与极性电容C01的负极相连接、另一端接地的电阻R02，一端与放大器P01的正极相连接、另一端接地的电阻R03，正极与放大器P01的正极相连接、负极与放大器P01的输出端相连接的极性电容C02，一端与极性电容C02的正极相连接、另一端与放大器P01的输出端相连接的电阻R04，一端与极性电容C02的正极相连接、另一端与放大器P01的输出端相连接的可调电阻R05，正极与放大器P01的负极相连接、负极与放大器P01的输出端相连接的极性电容C03，一端与极性电容C03的正极相连接、另一端与极性电容C03的负极相连接的电阻R06，以及一端与放大器P01的输出端相连接、另一端与调节芯片U2的SW管脚相连接的电阻R07组成；所述放大器P01的负极接地。

3.根据权利要求2所述的一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路，其特征在于，所述调节芯片U2为LM2577S-ADJ集成芯片。

4.根据权利要求3所述的一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路，其特征在于，所述二极管整流器U1为4只1N5221B二极管组成的二极管整流器。

5.根据权利要求4所述的一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路，其特征在于，所述可调电阻R7的阻值可调范围为100～200Ω。

6.根据权利要求5所述的一种高压静电集尘装置用多电路处理型升压电源电路，其特征在于，所述场效应管MOS为MTP3N80场效应管。