[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

一种半导体装置的形成方法，包含：在一第一介电层，形成一第一导体构件。在上述第一介电层的上方，形成一蚀刻停止层。在上述蚀刻停止层的上方，形成一第二介电层。将上述第二介电层与上述蚀刻停止层图形化，以形成一开口，其中上述蚀刻停止层的一部分介于上述开口的底部与上述第一导体构件之间。溅射上述蚀刻停止层的上述部分，以将上述开口延伸至上述第一导体构件并形成一延伸开口，其中上述延伸开口曝露上述第一导体构件。以一导体材料填充上述延伸开口，以在上述第二介电层形成一第二导体构件。

技术领域

本公开是关于半导体装置的形成方法，特别是关于半导体装置中的互连结构的形成方法。

背景技术

一般而言，在一半导体基板上与此半导体基板中，形成有源装置与无源装置。一旦形成之后，可使用一系列的导体层与绝缘层，将这些有源装置与无源装置相互连接并连接于一外部装置。这些导体层与绝缘层可有助于使各种有源装置与无源装置相互连接，并同时提供电性连接至外部装置，上述外部装置例如为接触垫。

为了在这些导体层与绝缘层内形成上述互连结构，可以使用一系列的光微影(photolithographic)、蚀刻、沉积与平坦化技术。然而，随着上述有源装置与无源装置的尺寸的缩减，导致上述互连结构也同时被要求缩减尺寸，这些技术的使用已变得更加复杂。因此，为了使整体装置的尺寸更小、更便宜、效率更好并减少缺陷或问题的发生，需要改善上述互连结构的形成及结构。

发明内容

有鉴于此，本公开的一实施例是提供一种半导体装置的形成方法，包含：在一第一介电层，形成一第一导体构件；在上述第一介电层的上方，形成一蚀刻停止层；在上述蚀刻停止层的上方，形成一第二介电层；将上述第二介电层与上述蚀刻停止层图形化，以形成一开口，其中上述蚀刻停止层的一部分介于上述开口的底部与上述第一导体构件之间；溅射(sputtering)上述蚀刻停止层的上述部分，以将上述开口延伸至上述第一导体构件并形成一延伸开口，其中上述延伸开口曝露上述第一导体构件；以及以一导体材料填充上述延伸开口，以在上述第二介电层形成一第二导体构件。

本公开的另一实施例是提供一种半导体装置的形成方法，包含：在一第一介电层，形成一第一导体构件；在上述第一介电层的上方，沉积一蚀刻停止层；在上述蚀刻停止层的上方，沉积一第二介电层；在上述第二介电层的上方，沉积一第一掩模层；在上述第一掩模层的上方，沉积一第二掩模层；对上述第二介电层施行一第一图形化制程，以在上述第二介电层形成一开口，其中将上述第一掩模层与上述第二掩模层作为一组合掩模使用；移除上述第二掩模层；对上述第二介电层与上述蚀刻停止层施行一第二图形化制程，以将开口延伸至上述蚀刻停止层中，其中在施行上述第二图形化制程之后，上述开口的底部是置于上述蚀刻停止层中；对上述开口的底部施行一溅射制程，以曝露上述第一导体构件的一部分；以及沉积一导体材料至上述开口中，以在上述第二介电层形成一第二导体构件，其中上述第二导体构件是与上述第一导体构件电性接触。

本公开的又另一实施例是提供一种半导体装置的形成方法，包含：在一基底的上方，形成一金属化层；在上述金属化层的上方，沉积一掺杂金属的氮化铝层；在上述掺杂金属的氮化铝层的上方，沉积一介电层；在上述介电层的上方，沉积一第一掩模层；在上述第一掩模层的上方，沉积一第二掩模层；对上述介电层施行一第一蚀刻制程，以在上述介电层形成一开口，其中将上述第一掩模层与上述第二掩模层作为一组合掩模使用，其中上述开口曝露上述掺杂金属的氮化铝层；对上述介电层与上述掺杂金属的氮化铝层施行一第二蚀刻制程，以将开口延伸至上述掺杂金属的氮化铝层中，其中将上述第一掩模层作为一蚀刻掩模使用，且其中在施行上述第二蚀刻制程之后，上述掺杂金属的氮化铝层的一部份是介于上述开口的底部与上述金属化层的一上表面之间；施行一溅射制程，以曝露上述掺杂金属的氮化铝层的上述部分，并曝露上述金属化层的一导体构件；以及以一导体材料填充上述开口。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。