[发明专利]一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

说明书

一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明通过在传统CSTBT器件结构的N型漂移区中引入沟槽发射极结构，并在沟槽发射极结构下方和表面依次引入P型层和串联二极管结构，同时还具有沿垂直方向部分穿入N型电荷存储层中的沟槽栅结构，通过上述改进本发明解决了传统CSTBT器件中通过提高N型电荷存储层掺杂浓度造成器件正向导通性能与耐压性能之间存在矛盾关系的问题；减小了器件的饱和电流密度，改善了器件的短路安全工作区；提高了器件的开关速度，降低了开关损耗；提高了器件的击穿电压，改善了可靠性；优化了正向导通压降与关断损耗之间的折中；同时，本发明器件的制造方法与现有CSTBT器件的制造工艺兼容。

技术领域

本发明属于半导体功率器件技术领域，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，具体涉及一种沟槽栅电荷储存型绝缘栅双极型晶体管(CSTBT)。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，被广泛应用于交通、通信、家用电器及航空航天等各个领域。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种绝缘型场效应管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)复合而成的新型电力电子器件，可等效为双极结型晶体管驱动的MOSFET。IGBT混合了MOSFET结构和双极结型晶体管的工作机理，既具有MOSFET易于驱动、输入阻抗低、开关速度快的优点，又具有BJT通态电流密度大、导通压降低、损耗小、稳定性好的优点，因而，IGBT的运用改善了电力电子系统的性能。从IGBT发明以来，人们一直致力于改善IGBT的性能，经过二十几年的发展，相继提出了七代IGBT器件结构来不断提升器件的性能。第七代IGBT结构——沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管(CSTBT)是通过在P型基区下方引入具有较高掺杂浓度和一定厚度的N型电荷存储层来在P型基区下方引入空穴势垒，使得器件靠近发射极端的空穴浓度大大提升，而根据电中性要求将大大增加此处电子浓度，以此改善整个N-漂移区的载流子浓度分布，增强N-漂移区的电导调制效应，使IGBT获得了更低的正向导通压降以及更优的正向导通压降与关断损耗的折中关系。随着N型电荷存储层掺杂浓度越高，CSTBT电导调制效应改善越大，器件的正向导通特性也就越好。然而，随着N型电荷存储层掺杂浓度的不断提高，会造成CSTBT器件击穿电压显著降低。如图1所示的传统CSTBT器件结构中，为了有效屏蔽N型电荷存储层的不利影响，获得更高的器件耐压，主要采用如下两种方式：

(1).深的沟槽栅深度，通常使沟槽栅的深度大于N型电荷存储层的结深；

(2).小的元胞宽度，即提高MOS结构沟道密度使沟槽栅间距尽可能小；

方式(1)实施的同时会增加栅极-发射极电容和栅极-集电极电容，而IGBT的开关过程本质上就是对栅极电容进行充/放电的过程，故此，栅极电容的增加会使得充/放电时间增长，进而造成开关速度降低。因而，深的沟槽栅深度将会降低器件开关速度、增大器件开关损耗，影响到器件导通压降和开关损耗的折中特性；而方式(2)的实施一方面将增大器件的栅极电容，导致器件开关速度降低、开关损耗增大，影响器件导通压降与开关损耗的折中特性，另一方面大的沟道密度还将增加器件的饱和电流密度，使器件短路安全工作区变差。另外，沟槽栅结构中的栅氧化层是通过一次热氧化在沟槽中形成，为了保证一定的阈值电压，因此要求整个栅氧化层的厚度均较小，然而MOS电容大小与氧化层的厚度成反比，这就使得传统CSTBT器件中薄的栅氧化层厚度会显著增加器件的栅极电容，同时沟槽底部的电场集中效应将降低器件的击穿电压，造成器件的可靠性较差。

发明内容