[发明专利]微发光二极管的生长和转运设备及转运方法

权利要求书

1.一种微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，包括：

生长基底，

多个微发光二极管，其中，一部分所述微发光二极管为待转运部分，其余部分为非转运部分；

保护层，所述保护层覆盖所述非转运部分；

转运基底，

拾取层，设置于所述转运基底的一侧的整面，所述拾取层至少具有垂直于所述转运基底的方向的弹性力，所述拾取层具有拾取所述待转运部分的拾取力；

各所述微发光二极管包括本体和连接部，所述本体通过所述连接部形成于所述生长基底的一侧，且沿垂直于所述生长基底的方向，各所述本体与所述生长基底之间留有间隙；

还包括支撑层，所述支撑层填充所述非转运部分中的所述本体与所述生长基底之间的所述间隙；其中，所述保护层的材质为光刻胶，所述支撑层的材质为金属。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述连接部与所述本体一次成型。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述本体的厚度较所述连接部的厚度大，所述厚度所在的方向垂直于所述生长基底。

4.根据权利要求1-3任一项所述的微发光二极管的生长和转运设备，其特征在于，所述拾取层具有变形状态和非变形状态，在所述非变形状态，所述拾取层的最小厚度大于所述保护层远离所述生长基底的一面与所述微发光二极管远离所述生长基底的一面之间的距离，所述厚度所在的方向垂直于所述生长基底。

5.一种利用权利要求1-4任一项所述的生长和转运设备转运微发光二极管的方法，其特征在于，包括：

在生长基底的一侧形成多个微发光二极管；

在多个微发光二极管远离所述生长基底的一侧形成第一膜层；

图案化所述第一膜层，暴露待转运的所述微发光二极管；

在转运基底上整面形成拾取层，所述拾取层具有弹性力；

将所述拾取层与所述生长基底压合，所述拾取层与所述待转运的所述微发光二极管贴合；

拾取所述待转运的所述微发光二极管；

所述在生长基底的一侧形成多个微发光二极管，具体为：

在所述生长基底的一侧形成第二膜层；

在所述第二膜层远离所述生长基底的一侧形成多个微发光二极管，各所述微发光二极管包括本体和连接部，所述连接部用于连接所述本体和所述生长基底；

其中，所述第二膜层形成于所述本体和所述生长基底之间；

所述图案化所述第一膜层，暴露待转运的所述微发光二极管，具体为：

图案化所述第一膜层，暴露所述待转运的所述微发光二极管，和所述第二膜层中与所述待转运的所述微发光二极管的所述本体相对的部分，所述第一膜层中剩余的部分形成保护层；

刻蚀所述第二膜层中位于所述待转运的所述微发光二极管的所述本体与所述生长基底之间的部分，暴露所述待转运的所述微发光二极管的所述连接部，所述第二膜层中剩余的部分形成支撑层；

所述图案化所述第一膜层，暴露所述待转运的所述微发光二极管和所述第二膜层中与所述待转运的所述微发光二极管的所述本体相对的部分，具体为：

采用光刻法刻蚀所述第一膜层中覆盖所述待转运的所述微发光二极管的部分，使所述待转运的所述微发光二极管和所述第二膜层中与所述待转运的所述微发光二极管的所述本体相对的部分裸露；

所述刻蚀所述第二膜层中位于所述待转运的所述微发光二极管的所述本体与所述生长基底之间的部分，暴露所述待转运的所述微发光二极管的所述连接部，具体为：

用湿刻法刻蚀所述第二膜层中位于所述待转运的所述微发光二极管的所述本体与所述生长基底之间的部分，使所述待转运的所述微发光二极管的所述连接部裸露。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述拾取层与所述生长基底压合，所述拾取层与所述待转运的所述微发光二极管贴合，具体为：

所述转运基底和所述拾取层靠近所述生长基底，使所述拾取层发生形变，以使所述拾取层与所述待转运的所述微发光二极管的所述本体以及所述保护层均贴合。