[发明专利]一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法

权利要求书

1.一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：前驱体溶液的制备：以硼酸和可溶性金属盐为溶质，以乙二醇甲醚为溶剂，配置成混合溶液，磁力搅拌，形成澄清透明的前驱体溶液；所述可溶性金属盐为可溶性铝盐、可溶性锆盐、可溶性钇盐或可溶性铪盐中的一种；

步骤2：薄膜制备：将步骤1所述的前驱体溶液旋涂在清洗干净的衬底表面，形成硼掺杂氧化物凝胶薄膜，然后预热处理1～2分钟；所述的预热处理的温度为120℃～160℃；

步骤3：热处理：重复步骤2多次，然后热处理1～2小时，得到硼掺杂氧化物介电薄膜；所述的热处理的温度为400℃～500℃。

2.根据权利要求1所述的一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，其特征在于，所述可溶性铝盐为硝酸铝，所述可溶性锆盐为四氯化锆，所述可溶性钇盐为氯化钇，所述可溶性铪盐为氯化铪。

3.根据权利要求1所述的一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，其特征在于，所述的混合溶液中金属离子浓度为0.05～0.2摩尔/升，硼离子和金属离子的摩尔比为5～10:100；磁力搅拌时长为3～4小时。

4.根据权利要求1所述的一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，其特征在于，所述衬底的清洗过程为：将衬底放入超声波中，然后依次用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗，以去除衬底上的污染物，用氮气吹干。

5.根据权利要求1或4所述的一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，其特征在于，所述衬底为ITO导电玻璃或重掺杂硅片，所述重掺杂硅片清洗前用氢氟酸浸泡以去除表面氧化层。

6.根据权利要求1所述的一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，其特征在于，所述硼掺杂氧化物介电薄膜的厚度为40～80nm。