[发明专利]硼钨钴杂多配合物与结晶紫杂化薄膜的光电转换性质有效
| 申请号： | 201710990040.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698074B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 高丽华;王潇申;王克志 | 申请（专利权）人： | 北京工商大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硼钨钴 杂多 配合 结晶 紫杂化 薄膜 光电 转换 性质 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有增强光电转换性能的杂多配合物和有机染料杂化的有序薄膜材料，其特征在于：该薄膜材料由[BW11Co(H2O)O39]7-阴离子和结晶紫阳离子组成，其用途在于该薄膜用于光电化学电池中的工作电极。
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