[发明专利]一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源在审

专利信息
申请号: 201710990465.X 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN107659199A 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 李小林 申请(专利权)人: 成都翰兴科技有限公司
主分类号: H02M9/04 分类号: H02M9/04;H02M1/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 压控恒 流电 波纹 抑制 负离子 发生器 电源
【权利要求书】:

1.一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,其特征在于,主要由变压器T,放电板DB,场效应管MOS,三极管VT1,三极管VT2,三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,串接在变压器T原边电感线圈的同名端与三集管VT3的集电极之间的压控恒流电路,负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C3,负极经电阻R3后与场效应管MOS的源极相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2,N极与极性电容C2的正极相连接、P极经电阻R1后与三极管VT1的发射极相连接的二极管D1,负极经电阻R2后与场效应管MOS的栅极相连接、正极与二极管D1的P极共同形成电路的输入端的极性电容C1,一端与三极管VT2的基极相连接、另一端接地的可调电阻R5,P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与可调电阻R5的调节端相连接的二极管D2,正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5,一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R6,正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C4,P极与三极管VT3的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的二极管D3,P极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、N极与经电阻R8后与三极管VT4的集电极相连接的稳压二极管D4,正极与三极管VT4的基极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的极性电容C6,一端与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R7,正极经电阻R1后与三极管VT5的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8,P极与三极管VT4的发射极相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D5,正极经电阻R9后与三极管VT5的发射极相连接、负极与放电板DB的电源输入端相连接的极性电容C7,以及一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的可调电阻R10组成;所述三极管VT5的基极还与二极管D3的N极相连接;所述二极管D5的N极还与极性电容C7的正极相连接;所述三极管VT6的集电极接地;所述稳压二极管D4的N极接地;所述二极管D3的N极还与极性电容C5的负极相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,其特征在于,所述压控恒流电路由放大器P,三集管VT01,三集管VT02,正极与放大器P的正极相连接、负极接地的极性电容C01,一端与极性电容C01的负极相连接、另一端与三集管VT3的集电极相连接的可调电阻R01,一端与极性电容C01的负极相连接、另一端与放大器P的输出端相连接的电阻R02,一端与放大器P的输出端相连接、另一端与三集管VT01的基极相连接的电阻R04,N极经电阻R03后与放大器P的负极相连接、P极与三集管VT02的发射极相连接的二极管D01,正极与三集管VT01的基极相连接、负极经电阻R05后与三集管VT02的发射极相连接的极性电容C02,以及一端与三集管VT01的集电极相连接、另一端与三集管VT02的集电极相连接的电感L01组成;所述放大器P的正极还与可调电阻R01的调节端相连接;所述三集管VT02的基极与三集管VT01的发射极相连接,其三集管VT02的发射极接地,该三集管VT02的发射极还与变压器T原边电感线圈的同名端相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,其特征在于,所述变压器T为EI57-30升压变压器。

4.根据权利要求3所述的一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,其特征在于,所述可调电阻R5的阻值可调范围为1~4.7kΩ。

5.根据权利要求4所述的一种基于压控恒流电路的波纹抑制型负离子发生器电源,其特征在于,所述场效应管MOS为MTP3N80场效应管。

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