[发明专利]一种硅通孔电镀的三步预浸润方法

权利要求书

1.一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，其特征在于，包括：

(1)将种子铜层的硅通孔晶圆浸入并浸泡在浸润液中，当种子铜层的硅通孔晶圆完全被浸润时，得到初浸润晶圆；

(2)将初浸润晶圆浸入并浸泡在去离子水中，得到再浸润晶圆；

(3)将再浸润晶圆浸入并浸泡在电镀液中，此时电镀液中的溶质扩散至硅通孔内部，从而实现硅通孔的孔内部浸润；

所述初浸润晶圆的浸入速度和再浸润晶圆的浸入速度均大于种子铜层的硅通孔晶圆的浸入速度。

2.如权利要求1所述的一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，其特征在于，所述步骤(1)的具体实现方式为：将种子铜层的硅通孔晶圆浸入并浸泡在浸润液中，种子铜层的硅通孔晶圆与浸润液的液面夹角为0°至90°，种子铜层的硅通孔晶圆的浸入速度小于等于20mm/s，当种子铜层的硅通孔晶圆完全被浸润时，得到初浸润晶圆，所述硅通孔的孔径为3μm-50μm、孔深径比为15:1-1:1。

3.如权利要求1所述的一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，其特征在于，所述步骤(2)的具体实现方式为：将初浸润晶圆浸入并浸泡在去离子水中，初浸润晶圆与去离子水的液面夹角为0°至90°，初浸润晶圆的浸入速度大于等于3mm/s，得到再浸润晶圆。

4.如权利要求1所述的一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，其特征在于，所述步骤(3)的具体实现方式为：将再浸润晶圆浸入并浸泡在电镀液中，再浸润晶圆与电镀液的液面夹角为0°至90°，再浸润晶圆的浸入速度大于等于3mm/s，此时电镀液中的溶质扩散至硅通孔内部，从而实现硅通孔的孔内部浸润。

5.如权利要求1-4任意一项所述的一种硅通孔电镀的三步预浸润方法，其特征在于，所述浸润液为无水乙醇、丙酮或者异丙醇。