[发明专利]一种n型有机半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种n型有机半导体材料，其特征在于，其结构式为式(1)所示：

其中，Ar为富电子性共轭单元；π为含有碳碳双键或碳氮键的共轭单元；n为所述n型有机半导体材料的聚合度，n为1到10000的自然数。

2.根据权利要求1所述的n型有机半导体材料，其特征在于，所述Ar和π为亚乙烯基、亚乙炔基、亚芳基、杂亚芳基或通过单键连接的2-6个亚芳基所形成的基团；或者，Ar和π为亚乙烯基、亚乙炔基、亚芳基、杂亚芳基、通过单键连接的2-6个亚芳基中的一个或多个碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团。

3.根据权利要求1所述的n型有机半导体材料，其特征在于，所述Ar为噻吩、并噻吩、二联噻吩、三联噻吩、氟代噻吩、氟代联噻吩、并三噻吩、苯并二噻吩、噻唑或苯环。

4.根据权利要求1所述的n型有机半导体材料，其特征在于，所述Ar为以下结构中的一种：

上述结构式中的R为氢，或者是具有1-30个碳原子的烷基，或者是所述具有1-30个碳原子的烷基中一个或多个碳原子被卤素原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团。

5.根据权利要求1所述的n型有机半导体材料，其特征在于，所述π为以下结构中的一种：

上述结构式中的R为氢，或者是具有1-30个碳原子的烷基，或者是所述具有1-30个碳原子的烷基中一个或多个碳原子被卤素原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团。

6.权利要求1至5任一项所述的n型有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)合成含有溴代的吸电子单元；

(2)Knoevenagel缩合反应：将含有溴代的吸电子单元在碱的催化作用下，与含有醛基取代的π共轭单元进行Knoevenagel缩合反应，得到含有双溴的目标聚合单体；

(3)金属催化偶联聚合反应：将含有双溴的目标聚合单体与含有Ar的具有金属偶联反应活性官能团的单体在金属催化剂下反应，得到目标聚合物。

7.权利要求1至5任一项所述的n型有机半导体材料在有机光电转换器件中的应用。