[发明专利]一种复位延迟电路在审

专利信息
申请号: 201710992463.4 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN107634744A 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 马红玲;王岩琴;崔洪艺 申请(专利权)人: 宁波德晶元科技有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;H03K17/284
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)33243 代理人: 龙洋
地址: 315104 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 复位 延迟 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及IC集成技术领域,尤其涉及一种复位延迟电路。

背景技术

复位电路是IC集成电路中的一个模块,其作用是使电路从不稳定状态恢复为初始状态。当需求产生时,复位电路产生一个一定宽度的复位脉冲信号去复位整个电路,使电路恢复为初始状态,进而开始后续的工作。无论用户使用何种电路设计方式,总要涉及到复位电路的设计。而复位电路设计的好坏,直接影响到整个系统工作的可靠性。许多用户在完成了数字电路的设计,并在实验室调试成功后,在现场却出现了“死机”、“程序走飞”等现象,这主要是电路的复位电路设计不可靠引起的。

如图1所示,传统复位电路的设计思想是:将偏置电路产生的电压信号Vbn,Vbp作为比较器CMP的输入,由比较器的输出作为开关电路的栅极输入信号,由此来控制MOS管的通断,第一PMOS管M1的栅极和第二NMOS管M2连接于节点A,对并联电容C进行充放电。电容C一端接地,另一端与触发器的输入端连接。通过控制电容非接地端的电位就控制了触发器的输入电压。若比较器的输出为低电平,第一PMOS管M1开启,电容C经由M1支路充电,若充电过程中B点电位高于触发器ST的翻转电压,触发器发生翻转输出高电平;若比较器输入的为高电平,第一PMOS管M1关闭,第二NMOS管M2开启,电容C经由M2所在支路放电,若B点电位低于触发器ST的翻转电压时,触发器发生翻转,输出端Vout输出低电平。

上述现有技术中,有如下缺点:

比较器占用面积较大,成本高,不利于系统集成。

当电源电压VCC<(Vthn+Vthp)时比较器处于不稳定状态,会导致整个电路的输出不确定。

发明内容

为了解决背景技术中提出的问题,本发明提供了一种复位延迟电路,包括:充电电路,放电电路,复位信号产生电路;

所述充电电路包括:第一PMOS管(M1)、第二NMOS管(M2);

其中,所述第一PMOS管(M1)的栅极与第一信号输入端(Vbp)连接,源极与电源电压(VCC)连接,漏极与所述第二NMOS管(M2)的漏极连接;所述第二NMOS管(M2)的栅极与第一信号输入端(Vbp)连接,源极与电容(C)连接于节点(B);

所述放电电路包括:第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4);所述第三NMOS管(M3)的漏极连接到节点(B),源极接地,栅极与第二信号输入端(Vbn)连接;所述第四NMOS管(M4)漏极连接到节点(B),源极接地,栅极与第三信号输入端(Boot)连接;

所述复位信号产生电路包括电容(C),施密特触发器(ST);其中,电容(C)一端与节点(B)连接,一端接地;施密特触发器(ST)的输入端与节点(B)连接,输出端(Vout)用于输出复位信号。

进一步地,所述放电电路还包括:二极管(D);

其中,二极管(D)的负极与电源电压(VCC)连接,正极与节点(B)连接。

进一步地,所述第一信号输入端(Vbp),第二信号输入端(Vbn)和第三信号输入端(Boot)的电压信号由同一偏置电路产生。

进一步地,充电电路和放电电路中,流经第一PMOS管(M1)的电流值大于流经第三NMOS管(M3)的电流值。

本发明有如下优点:

此外,本发明提供的电路通过使用NMOS管和PMOS管组合替代传统复位电路中的比较器,占用面积小,成本低,便于集成;

本发明改变了当电源电压(VCC)<(Vthn+Vthp)时比较器不稳定的缺点,当电源电压(VCC)大于输入Vthp和Vthn的最大者时电路就可以稳定工作,电路工作的电压范围更广且稳定性更高。

附图说明

图1是现有技术中的一种复位延迟电路的电路图;

图2是本发明实施例一提供的一种复位延迟电路的电路图。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例并结合附图,对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。

本实施例提供一种复位延迟电路,其电路图如图2所示,结合附图详述如下:

所述充电电路包括:第一PMOS管(M1)、第二NMOS管(M2);

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