[发明专利]感测放大器、存储装置以及包括其的系统有效

专利信息
申请号: 201710993368.6 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN107993683B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 姜奭准 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/10
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 放大器 存储 装置 以及 包括 系统
【说明书】:

可以提供感测放大器。感测放大器可以包括放大电路和/或单元电流控制电路。放大电路可以被配置为将信号线的电压电平与读取电压的电平进行比较。单元电流控制电路可以被配置为基于输出信号来降低信号线的电压电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0140321的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例通常可以涉及一种半导体技术,更具体地涉及一种感测放大器、存储装置以及包括该放大器和存储装置的系统。

背景技术

电子设备由许多电子元件组成,并且计算机系统由包括半导体装置的许多电子元件组成。计算机系统由存储装置组成。由于动态随机存取存储器(DRAM)具有快速的数据输入/输出速度和随机存取的优点,所以DRAM被广泛用作通用存储装置。然而,DRAM由包括电容器的存储单元组成,且由于当电源被切断时DRAM丢失存储的数据,因而其是易失性的。已经提出了一种快闪存储装置,以克服DRAM的缺点。快闪存储装置由包括浮栅的存储单元组成,且由于即使当电源被切断时,快闪存储装置保持存储的数据,因而其是非易失性的。然而,快闪存储装置的数据输入/输出速度比DRAM低得多,并且难以支持随机存取。

近来,正在研究和开发具有快速操作速度和非易失性的下一代存储装置,并且下一代存储装置的示例包括:相变随机存取存储器(PCRAM)、阻变随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和铁电随机存取存储器(FRAM)。下一代存储装置具有快速操作速度和非易失性的优点。特别地,PRAM包括包含硫族化物的存储单元,并且通过改变存储单元的电阻值来存储数据。

发明内容

根据一个实施例,可以提供一种感测放大器。感测放大器可以包括放大电路和/或单元电流控制电路。放大电路可以被配置为将信号线的电压电平与读取电压的电平进行比较。单元电流控制电路可以被配置为基于输出信号来降低信号线的电压电平。

附图说明

图1是示出了根据本公开的实施例的示例的非易失性存储装置的图。

图2是示出了图1的开关元件的特性的电流-电压曲线图。

图3是示出了根据一个实施例的感测放大器的图。

图4是示出了根据一个实施例的感测放大器和非易失性存储装置的操作的时序图。

图5是示出了根据一个实施例的包括感测放大器和非易失性存储装置的存储卡系统的图。

图6是示出了包括根据各种实施例的感测放大器和非易失性存储装置的电子设备的框图。

图7是示出了包括根据各种实施例的感测放大器和非易失性存储装置的数据储存设备的框图。

图8是示出了包括根据各种实施例的感测放大器和非易失性存储装置的电子系统的框图。

具体实施方式

在下文中,将通过实施例的示例,参考附图来描述根据各种实施例的半导体装置。

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