[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

在一基板上形成多个线性核心图案与多个线性间隔物图案，其中该基板包括金属层、第一层以及第二层，该多个线性间隔物图案形成于所述线性核心图案的侧壁上；

自该基板移除该多个线性核心图案；

移除未受该多个线性间隔物覆盖的该基板的一部分，以形成多个第一线图案，其中该多个第一线图案沿着一第一方向延伸；

以沉积制程，在该基板上形成第三层与第四层；

进行一第一微影蚀刻制程，以移除该第四层的一部分，由此于所述第一线图案上方形成多个第二线图案，其中该多个第二线图案沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向；以及

进行一第二微影蚀刻制程移除该第四层的一部分，以于所述第一线图案上方形成多个第三线图案，其中该多个第二线图案与该多个第三线图案是以一交替方式形成于该第一线图案上方，

其中该第一微影蚀刻制程包含通过微影制程形成图案化的第一光致抗蚀剂层，并且使用该图案化的第一光致抗蚀剂层作为第一蚀刻遮罩进行蚀刻制程，以移除未受该第一蚀刻遮罩覆盖的该第四层的一部分，

其中该第二微影蚀刻制程包含以微影制程形成图案化的第二光致抗蚀剂层，并且使用该图案化的第二光致抗蚀剂层作为第二蚀刻遮罩而进行蚀刻制程，以移除未被该第二蚀刻遮罩覆盖的该第四层的一部分。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二方向实质未垂直于该第一方向。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该多个第一线图案形成于该基板的一遮罩层中，以及使用该多个第二线图案与该多个第三线图案进行一图案化制程，以图案化该多个第一线图案成为多个岛图案。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中该基板包括一第一区与一第二区，以及进行该第一微影蚀刻制程与该第二微影蚀刻制程以于该第一区中形成该多个第二线图案与该多个第三线图案并且于该第二区中形成多个线性元件；其中该多个岛图案是使用图案化的该第四层进行蚀刻制程，以图案化该第一区与该第二区中的该第三层来形成的；其中该多个线性元件是使用图案化的该第三层进行另一蚀刻制程，以图案化该第一区与该第二区中的第二层来形成的。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中该第二区中的该多个线性元件是与该第一区中的该多个第二线图案整合形成。

6.如权利要求4所述的制造方法，其中该第二区中的该多个线性元件是与该第一区中的该多个第三线图案整合形成。

7.如权利要求4所述的制造方法，其中该基板包括一第一区与一第二区，该多个第一线图案形成于该第一区中，以及该第二区没有所述第一线图案存在。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该多个第一线图案包括使用该多个线性间隔物作为一蚀刻遮罩而进行一蚀刻制程。