[发明专利]一种氮化镓晶片光电化学机械抛光液及抛光方法有效
| 申请号： | 201710994767.4 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107652900B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 康仁科;董志刚;欧李苇;时康;朱祥龙;周平 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶片 光电 化学 机械抛光 抛光 方法 | ||
1.一种氮化镓晶片光电化学机械抛光方法，其特征在于：
采用抛光垫和抛光液进行晶片的抛光；
所述抛光垫与晶片的接触面积小于晶片的面积；
所述抛光液包括纳米磨粒、氧化剂和水；所述纳米磨粒的含量为抛光液的0.18-2wt.％；所述氧化剂的含量为抛光液的0.1-10wt.％；
抛光过程中采用紫外光源辐照晶片未被抛光垫遮挡的部分，使晶片露出剩余表面直接接受紫外光源的在线辐照而被改性。
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于：所述的氧化剂为过硫酸钾、过硫酸钠、过硫酸氨、双氧水、过氧化钠、过氧化钾、高锰酸钾、次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸氨中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于：所述抛光液还包括pH调节剂。
4.根据权利要求3所述的抛光方法，其特征在于：所述的pH调节剂为氢氧化钾、氢氧化钠、氨水、碳酸氢钠、磷酸氢二钠、磷酸、醋酸、盐酸、硝酸、硫酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于：所述纳米磨粒的平均粒径为15～100nm。
6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于：所述纳米磨粒为纳米氧化铈磨粒或纳米二氧化硅磨粒。
7.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于：所述抛光液还包括催化剂，所述的催化剂为铂、金、铑、钯、铱及其碳负载型催化剂中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的抛光方法，其特征在于：所述催化剂的粒径为15-50nm，含量为抛光液的0.0001-0.0005wt.％。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将晶片固定在抛光液池中随抛光液池绕轴向旋转，抛光液池中的抛光液完全浸没晶片；
(2)将抛光垫固定在抛光轴上，经驱动与晶片产生相对运动；
(3)抛光过程中采用紫外光辐照晶片。
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