[发明专利]一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201710994881.7 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698183A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 齐伟华;张传宝;杜亚;王奇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 顶部金属层 焊盘 层间介质层 导电通孔 电子装置 钝化层 衬底 半导体 开口 制造 垂直下方 焊盘结构 键合过程 电连接 剥落 覆盖 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的次顶部金属层和顶部金属层；
位于所述次顶部金属层和顶部金属层之间的层间介质层，所述层间介质层中形成有导电通孔，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层；
位于所述顶部金属层之上的焊盘；以及
覆盖所述焊盘的钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；
其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述层间介质层为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述次顶部金属层和所述顶部金属层为板状结构。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述次顶部金属层和所述顶部金属层位于所述焊盘的垂直下方，所述开口在垂直方向上的投影位于所述顶部金属层和所述次顶部金属层上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述导电通孔形成在所述开口的垂直投影区域的四周。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述钝化层与顶部金属层之间的另一钝化层，所述另一钝化层具有露出部分所述顶部金属层的另一开口，所述焊盘填充所述另一开口以及部分覆盖所述另一钝化层。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成次顶部金属层；
在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述次顶部金属层；
在所述层间介质层中形成导电通孔；
在所述层间介质层之上形成顶部金属层；
在所述半导体衬底上形成焊盘，所述焊盘位于所述顶部金属层的上部并与所述顶部金属层电连接；
在所述半导体衬底上形成钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；
其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成焊盘的步骤包括：
在所述半导体衬底上形成覆盖所述顶部金属层的另一钝化层，所述另一钝化层具有露出部分所述顶部金属层的另一开口；
在所述半导体衬底上形成焊盘，所述焊盘填充所述另一开口并部分覆盖所述另一钝化层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述层间介质层为二氧化硅层。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述次顶部金属层和所述顶部金属层为板状结构。
11.根据权利要求10所述方法，其特征在于，所述次顶部金属层和所述顶部金属层位于所述焊盘的垂直下方，所述开口在垂直方向上的投影位于所述次顶部金属层上。
12.根据权利要求11所述方法，其特征在于，所述导电通孔形成在所述开口的垂直投影区域的四周。
13.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。
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