[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710995776.5 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109698238A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;蒋晓钧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共聚物 伪栅极 鳍片 自组装嵌段共聚物 半导体器件 内层 层间介电层 栅极结构 衬底 掩膜 半导体 制造 对接方向 图案定义 工艺流程 暴露 覆盖 刻蚀 去除 横跨 开口 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；
形成横跨所述鳍片的伪栅极；
形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；
在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；
在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；
去除所述内层共聚物；
以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述自组装嵌段共聚物为苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯嵌段共聚物。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述内层共聚物包括甲基丙烯酸甲酯，所述外层共聚物包括苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述开口中形成绝缘层的步骤。
5.根据权利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，还包括去除所述伪栅极以形成栅极凹槽，并在所述栅极凹槽中形成金属栅极的步骤。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽底部形成有刷层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：
以所述外层共聚物为掩膜刻蚀所述刷层；
以经刻蚀的所述刷层为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述伪栅极与所述层间介电层之间还形成有接触孔刻蚀停止层。
9.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括可流动性氧化物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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