[发明专利]一种掺杂钴酸锂的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710996094.6 申请日: 2017-10-23
公开(公告)号: CN107863526A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 王树亮;陈晓闯;王红忠;刘世红;赵亮;谈应东;吴来红;郭培庆;张志龙 申请(专利权)人: 兰州金川新材料科技股份有限公司
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心62100 代理人: 孙惠娜
地址: 730101 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 掺杂 钴酸锂 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属锂离子电池技术领域,具体涉及一种用于锂离子电池正极材料的改性钴酸锂的制备方法。

背景技术

自1992年日本索尼公司成功将锂离子电池商品化后,锂离子电池凭借其工作电压高、能量密度高、循环寿命长。自放电低、无污染、安全性能好等独特的优势,已广泛用作移动电话、便携式计算机、摄像机、照相机等的电源并在航天、航海、人造卫星、小型医疗仪器及军用通讯设备中逐步发展成为主流应用的能源电池。

钴酸锂是目前商业化锂离子电池的主要正极材料。但钴酸锂实际比容量只有140mAh./g左右,仅为其理论容量(274mAh./g)的50%左右;且钴酸锂的抗过充性能较差,在较高充电电压下比容量迅速降低。为克服钴酸锂存在的问题,人们研究采取了多种改性措施和方法。研究证明,在提高正极材料性能,特别是循环性能方面,掺杂是最有效的方法之一,掺杂不仅可以提高晶格的稳定性,而且可以大幅度的提高材料的循环性能。

现有的掺杂钴酸锂生产工艺主要是将掺杂元素氧化物、四氧化三钴、碳酸锂混合,研磨、高温煅烧。这种方法不但能耗高,而且制备的钴酸锂产品中元素分布不均匀,一致性差,不能满足电池行业对掺杂钴酸锂的要求。

中国发明专利CN200710065340.2,公开了“超大粒径和高密度钴酸锂及其制备方法”,具体是将将钴化合物、锂化合物,或同时与少量掺杂元素化合物混合,经950~1100℃高温烧结3~30小时,形成块体烧结产物,再经过破粉碎和分级后得到钴酸锂粉体材料(分子式是LiaCo1-bMbO2)。此专利需经过长时间的混料,制备工艺与本申请专利明显不同。中国发明专利CN201210011485.5,公开了“一种掺杂Ti、Mg、Al的球形钴酸锂的制备工艺”,具体是将钴盐混合溶液和碳酸氢铵溶液沉淀反应,球形碳酸钴经一次焙烧后得到四氧化三钴,四氧化三钴配锂源经二次焙烧得到掺杂Ti、Mg、Al球形钴酸锂。此种专利中制备掺杂钴酸锂的工艺与本申请专利明显不同。

发明内容

为克服上述不足,本发明的目的是提供一种掺杂钴酸锂的制备方法。

为了满足上述目的,本发明的技术方案为:

一种掺杂钴酸锂的制备方法,具体步骤为:

a、配制A溶液

以钴盐、锂盐为原料,配制成钴浓度为1~2mol/L的锂钴混合溶液A,且锂钴摩尔比为1:1~1:4;

b、配制B溶液

配制浓度为1~2mol/L的碳酸氢铵溶液B,且B中碳酸氢氨浓度与A中锂摩尔浓度相同;

c、配制C溶液

配制浓度为4.9~39.1g/L的掺杂元素可溶盐溶液C;

d、配制D溶液

配制浓度为2~8mol/L的氢氧化钠溶液D;

e、配制E溶液

配置浓度为1~5mol/L的双氧水溶液E;

f、合成反应

合成反应开始时,同时将A溶液、C溶液、B溶液、D溶液并流加入反应釜中,在搅拌强度为200~500转/分钟下进行反应,制备得到掺杂元素均匀分布的氢氧化钴与碳酸锂混合物,反应温度为50~80℃,B溶液的流速为A溶液流速的0.5~0.7倍, C溶液流速为A溶液流速的0.1倍,调节D溶液流速控制反应pH值, 反应过程中反应pH值为8~10,合成时间为8~40h;

g、氧化反应

合成结束后,再将D、E溶液以一定的流速加入反应釜中,在搅拌强度为200~500转/分钟下将氢氧化钴沉淀氧化成羟基氧化钴,反应温度为60~80℃,氧化时间为1~2h,E溶液加入量为A溶液加入量的0.2~0.5倍,调节D溶液流速控制反应pH值, 反应过程中反应pH值为10~11;

h、过滤、洗涤及干燥

反应完成后将物料进行过滤,洗涤,干燥,得到掺杂钴酸锂前驱体产品;

i、煅烧

将步骤(h)的产物煅烧,得到掺杂钴酸锂产品。

优选的,所述步骤(a)中,所述钴盐为硫酸钴、硝酸钴和氯化钴中的一种或几种混合物,所述锂盐为硝酸锂和氯化锂中的一种或两种混合物。

优选的,所述步骤(c)中,所述掺杂元素可溶盐为Mg、Al、Mn、Cu、Cr、Zr、Ce、Y、Nb、Ni中的一中或几种氯化物或硝酸物。

优选的,所述步骤(h)中,所述洗涤物料采用的是80~100℃的去离子水,干燥物料的温度为100~400℃。

优选的,所述步骤(i)中,所述煅烧条件为在空气气氛下,煅烧温度为800℃~1000℃,煅烧时间为4~20h。

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