[发明专利]一种Ga2O3相结纳米棒及其制备方法

权利要求书

1.一种Ga₂O₃相结纳米棒的制备方法，其特征在于，以硝酸鎵为前驱体，通过水浴沉淀获得GaOOH纳米棒；经400℃退火脱水处理得α-Ga₂O₃纳米棒，并将α-Ga₂O₃纳米棒在高于400℃的高温下煅烧一定时间，得α-Ga₂O₃/β-Ga₂O₃相结纳米棒；所述硝酸鎵的浓度为0.001mol/L-0.01mol/L；水浴共沉淀的温度为95℃，水浴时间为5h，水浴共沉淀调节pH为9；所述高于400℃的高温下煅烧一定时间为在700-800℃下煅烧5分钟-60分钟；所述Ga₂O₃相结为α-Ga₂O₃/β-Ga₂O₃相结，α-Ga₂O₃相构成内核，β-Ga₂O₃相环绕在α-Ga₂O₃相的外围；所述α-Ga₂O₃/β-Ga₂O₃相结为纳米棒状，α-Ga₂O₃/β-Ga₂O₃相结纳米棒为四棱柱，横截面为菱形；所述α-Ga₂O₃/β-Ga₂O₃相结纳米棒的长度在0.2～20μm范围之内，所述菱形的边长在30-900nm范围之内。

2.根据权利要求1所述的Ga₂O₃相结纳米棒的制备方法，其特征在于，所述调节pH通过氨水调节。

3.根据权利要求1所述的Ga₂O₃相结纳米棒的制备方法，其特征在于，所述水浴共沉淀形成白色沉淀，通过洗涤至中性，干燥；所述干燥为70℃下干燥5h。

4.根据权利要求1所述的Ga₂O₃相结纳米棒的制备方法，其特征在于，所述400℃的高温下煅烧一定时间为4h。