[发明专利]偏振不敏感的高倍频光载毫米波产生的简化装置及方法有效
申请号: | 201710996421.8 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN107733530B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 周慧;曾羽婷;陈明 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H04B10/50 | 分类号: | H04B10/50;H04B10/516;H04B10/548 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏振 敏感 倍频 毫米波 产生 简化 装置 方法 | ||
1.一种偏振不敏感的高倍频光载毫米波产生的简化装置,所述装置包括:
一个连续激光器,用于产生指定波长的光载波;
一个双臂铌酸锂-马赫曾德尔调制器,用于实现光中心载波、1阶边带和2阶边带抑制调制,产生±3阶及以上的边带;
一个带通滤波器,用于滤除±3阶以上的高阶边带,滤取所需±3阶边带;
一个光交叉复用器,用于将所述的±3阶边带进行分离;
一个单臂马赫曾德尔调制器,用于加载基带数据信号到-3阶边带上;
一个光耦合器,用于将加载数据后的-3阶边带和未加载数据的+3阶边带耦合在一起;
一个半导体光放大器,用于对光耦合器的输出信号实现四波混频;
一个光交叉复用器,用于滤除所述的±3阶边带和四波混频后产生的±9阶以上的高阶边带,滤取出所需要的±9阶边带;
一个光电检测器,用于对所述的±9阶边带进行拍频。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:通过适当调节双臂铌酸锂-马赫曾德尔调制器的偏置电压、调制深度和射频信号的相位差,实现光中心载波、1阶边带和2阶边带抑制,产生了±3阶及以上的边带,再通过一个带通滤波器滤除±3阶以上的高阶边带,滤取所需±3阶边带,并将这两个3阶边带送入半导体光放大器中进行四波混频。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:进行四波混频的两个3阶边带来自同一个激光源,具有相同的偏振态和相位锁定的特点,四波混频过程是偏振不敏感的,通过滤波和光电检测后,实现了偏振不敏感的18倍频毫米波信号的产生。
4.一种偏振不敏感的高倍频光载毫米波的产生方法,其特征在于,包括以下步骤:
利用连续激光器产生指定波长的光载波;利用射频信号驱动双臂铌酸锂-马赫曾德尔调制器;利用双臂铌酸锂-马赫曾德尔调制器对所述的光载波进行调制,通过设置适当的调制器的偏置电压、调制深度和射频信号间的相位差,实现光中心载波、1阶边带和2阶边带的抑制,产生3阶及以上边带;利用带通滤波器滤除±3阶以上的高阶边带,获取所需的±3阶边带;利用光交叉复用器将产生的±3阶边带进行分离;利用单臂马赫曾德尔调制器将基带数据信号加载到-3阶边带上;利用光耦合器将加载数据后的-3阶边带与未加载数据的+3阶边带耦合在一起;利用半导体光放大器对所述的耦合后的±3阶边带实现四波混频;四波混频后在±3阶边带两边分别产生±9阶及高阶边带;利用光交叉复用器,滤除原有的±3阶边带和四波混频后的±9阶以上的高阶边带,滤取出所需要的±9阶边带;再利用光电检测器对所述的±9阶边带进行拍频可得到18倍于射频信号频率的电毫米波信号。
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