[发明专利]基于阈值判别的两步式逐次逼近ADC在审
申请号: | 201710997660.5 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN107947796A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 朱樟明;刘健;刘术彬;沈易;王静宇 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03M1/14 | 分类号: | H03M1/14;H03F3/68 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 阈值 别的 两步式 逐次 逼近 adc | ||
1.一种基于阈值判别的两步式逐次逼近ADC(10),其特征在于,包括:第一级SARADC单元(11)、阈值判别放大单元(12)、第二级SARADC单元(13)、数字编码单元(14)、第一开关(S1)、第二开关(S2)及第三开关(S3);其中,
所述第一SARADC单元(11)经所述第一开关(S1)电连接模拟信号端;
所述阈值判别放大单元(12)经所述第二开关(S2)电连接所述第一SAR ADC单元(11);
所述第二级SARADC单元(13)经所述第三开关(S3)电连接所述阈值判别放大单元(12);
所述数字编码单元(14)分别电连接所述第一SARADC单元(11)与所述第二级SARADC单元(13)并输出数字信号。
2.根据权利要求1所述的基于阈值判别的两步式逐次逼近ADC(10),其特征在于,所述第一级SARADC单元(11)包括第一采样子单元(111)、第一比较器(112)及第一逻辑控制子单元(113);其中,
所述第一采样子单元(111)、所述第一比较器(112)及所述第一逻辑控制子单元(113)依次串接于所述第一开关(S1)与所述数字编码单元(14)之间;
所述第一逻辑控制子单元(113)的反馈端电连接所述采样子单元(111)。
3.根据权利要求2所述的基于阈值判别的两步式逐次逼近ADC(10),其特征在于,所述阈值判别放大单元(12)包括阈值判别子单元(121)、全差分匹配电流源(122)及反馈电容(123);其中,
所述阈值判别子单元(121)与所述全差分匹配电流源(122)依次串接于所述第二开关(S2)与所述第三开关(S3)之间;
所述反馈电容(123)电连接于所述阈值判别子单元(121)的输入端与所述全差分匹配电流源(122)的输出端之间。
4.根据权利要求3所述的基于阈值判别的两步式逐次逼近ADC(10),其特征在于,所述阈值判别子单元(121)包括预放大器(1211)与阈值检测器(1212);其中,
所述预放大器(1211)与所述阈值检测器(1212)依次串接于所述第二开关(S2)与所述全差分匹配电流源(122)之间。
5.根据权利要求4所述的基于阈值判别的两步式逐次逼近ADC(10),其特征在于,所述预放大器(1211)包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)及第四开关(S4);其中,
所述第三MOS管(M3)、所述第一MOS管(M1)、所述第五MOS管(M5)及所述第四开关(S4)依次串接于电源端(VDD)与接地端(GND)之间;
所述第四MOS管(M4)与所述第二MOS管(M2)依次串接于所述电源端(VDD)与所述第一MOS管(M1)与所述第五MOS管(M5)串接形成的节点之间;
所述第三MOS管(M3)的栅极与漏极短接后均电连接所述第四MOS管(M4)的栅极;
所述第五MOS管(M5)的栅极电连接偏置电压端(Vbias);
所述第一MOS管(M1)的栅极作为所述预放大器(1211)的第一输入端;
所述第二MOS管(M2)的栅极作为所述预放大器(1211)的第二输入端;
所述第四MOS管(M4)与所述第二MOS管(M2)串接形成的节点作为所述预放大器(1211)的输出端。
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